国家/地区 日本（144）
IPC部 C（144）
IPC大类 C01（144）
IPC小类 C01B（144） B82Y（61） H01L（39）
C23C（27） H01B（27） H01M（27）
B32B（19） B01J（16） C07C（10）
B82B（9） C08L（9） B05D（8）
C08K（8） C30B（8） C09D（7）
IPC C01B031/02（134） C01B031/04（60） B82Y030/00（55）
B82Y040/00（46） C23C016/26（21） C01B032/182（15）
H01B013/00（15） B32B009/00（12） C01B032/15（11）
C01B032/184（11） H01L021/205（11） H01B001/04（10）
H01L029/06（10） H01M004/62（10） C01B032/18（9）
发明人 FENG X（7） MUELLEN K（7） MULLEN K（7）
SHIMIZU K（5） HIBINO H（4） KADONO K（4）
KIMURA N（4） KOBAYASHI T（4） MILLEN K（4）
NOMOTO K（4） SAITO Y（4） SATO M（4）
SCHWAB M G（4） SCHWAB M G S（4） SUMINO K（4）
公开年 2013（144）
申请年 2012（76）  2011（38）  2013（30） 
专利权人 PANASONIC CO.（10） SEMICONDUCTO.（8） DOKURITSU GY.（7） TOSHIBA KK（7）
BASF SE（6） JX NIPPON MI.（6） MAX PLANCK G.（6） BASF AG（5）
BASF CHINA C.（5） FUJITSU LTD（5） SONY CORP（5） HON HAI PREC.（4）
HONGFUJIN PR.（4） NIPPON TELEG.（4） SEKISUI CHEM.（4） UNIV TSINGHU.（4）
FUJI ELECTRI.（3） LOCKHEED COR.（3） LOCKHEED MAR.（3） NIPPON MININ.（3）

Manufacture of graphene structure used for electronic devices, such as field effect transistor of high mobility involves forming carbon and insulation film layer on base material and forming catalyst metal layer on insulation film layer.

EGAWA T, FUJITA K

Electrolyte used for solid-fuel battery cell, comprises specified amount of graphene oxide and sulfo group.

MATSUMOTO Y, HAYAMI S, WATANABE Y

Graphene structure for semiconductor device comprises substrate and graphene nano ribbon which is formed on the substrate and has predetermined width as prohibition body width as a semiconductor produces.

KATO T, HATAKEYAMA R

Manufacture of carbonized graphene composite for electrodes, involves adding depolarization material, manganese oxide, nickel hydroxide, or nitrogen carbide to carbon graphene obtained from e.g. timber, and molding into plate.

ANDO T, YAMADA M

Graphene powder for preparing lithium ion battery electrode, comprises compound having catechol group that adsorbs on graphene, e.g. catechol, dopamine hydrochloride, 3,4-dihydroxyphenylalanine, noradrenalin, and caffeic acid.

SUN P, LIU G, WU Z, WU G, TAMAKI E, KUBOTA Y

Manufacture of graphene film used for e.g. gas barrier film, involves depositing graphene film on base material surface maintained at specified temperature and pressure by microwave surface wave plasma chemical vapor deposition method.

TSUGAWA K, YAMADA T, HASEGAWA M

Graphene sheet water dispersion for graphene containing structure comprises water-soluble compound, graphene sheet, and aqueous solvent which has a 9,9-bis(substituted aryl) fluorene structure.

KAWASAKI S, SAKAMOTO H, ZAIMA H, ARIMA H

Manufacture of graphene used for e.g. transparent electrode, involves preparing container having graphene, graphite and solvent, applying magnetic field, locating graphene and graphite in different positions in solvent, and separating.

KITAURA H, NISHIKI N, NISHIKAWA K, NAKAYA K, TANAKA A, NAKATANI K, TANAGA A

Film-forming apparatus for forming graphene film on film-forming target e.g. metallic foil, has roll-to-roll mechanism which provides tensile force relaxation unit that relaxes tensile force applied to transported film-forming target.

KOBAYASHI T, SHIMIZU K, KADONO K, MIZUGUCHI Y, MURAKAMI Y, MIZUKUCHI Y, SUMINO K

Manufacture of graphene oxide for forming graphene film, involves laser ablation of medium containing sulfuric acid and sulfonated graphite, adding nitric acid and oxidant to form suspension, and hydrolyzing sulfonated graphite.

ISAWA K, KOYANAGI M, MAKINO T, SHIBUYA A, IZAWA K