国家/地区 台湾（41）
IPC部 C（41）
IPC大类 C01（41） B82（29） H01（16）
C23（9） C07（6） C25（6）
B05（5） B32（5） C08（5）
B01（3） G11（3） B21（2）
C02（2） C22（2） C30（2）
IPC小类 C01B（41）
IPC C01B031/04（37） B82Y030/00（20） B82Y040/00（20）
C01B031/02（20） C01B032/20（5） H01M004/583（5）
H01M004/587（5） H01M004/62（5） B05D005/12（4）
C08G061/10（4） C23C016/26（4） C25B001/00（4）
H01M004/04（4） H01M004/38（4） B32B038/10（3）
发明人 FAN S（9） JIANG K（7） LIN X（7）
FENG X（4） MUELLEN K（4） MULLEN K（4）
NOMOTO K（4） GUO J（3） GUO J W（3）
HE X（3） LI J（3） LI J J（3）
LI L（3） LI W（3） LIN C（3）
公开年 2013（41）
申请年 2012（41）
专利权人 HON HAI PREC.（12） HONGFUJIN PR.（12） UNIV TSINGHU.（12） SEMICONDUCTO.（5）
BASF AG（4） BASF SE（4） BASF CHINA C.（3） CHUNG SHAN I.（3）
MAX PLANCK G.（3） FAN S（2） HSIEH Y（2） HUANG K（2）
IND TECHNOLO.（2） IND TECHNOLO.（2） JX NIPPON MI.（2） NIPPON MININ.（2）
NIPPON MININ.（2） NOMOTO K（2） TODORIKI H（2） WEI Y（2）

Composite structure, useful for a transparent electrode in display panels of mobile phones and tablet personal computers, comprises nanofiber substrate, graphene layer disposed on a surface of a net structure and organic compound.

MA C M, HUANG Y, YANG S, TIEN H, MA M C, WANG N

Method for manufacturing epitaxial structure of e.g. LED, involves forming graphene layer on epitaxial growth surface, and epitaxially growing epitaxial layer on epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Epitaxial structure used in light emitting device e.g. LED based on group III-V nitride semiconductor e.g. gallium nitride, comprises substrate, epitaxial layer disposed on substrate, and graphene layer disposed between substrate and layer.

WEI Y, FAN S

Preparation method for graphene composite material characterized by greatly increasing surface area, electric conductivity and charge/discharge speed of electric capacitance.

WU Y, XIE C, ZHANG Y, PENG C, CHEN J, LIN G, LIN J

Making strip shaped graphene layer used on semiconductor devices involves providing graphene film on metal substrate; adhering nanotube structure with strip-shaped gap on graphene film; applying voltage to nanotube graphene structure.

LIN X, JIANG K, FAN S

Making strip shaped graphene layer involves disposing carbon nanotube structure comprising drawn carbon nanotube film including carbon nanotubes on graphene film; removing graphene film and carbon nanotube structure.

LIN X, JIANG K, FAN S

Making strip shaped graphene layer involves providing graphene film on surface of substrate; drawing carbon nanotube film comprising carbon nanotube segments; disposing carbon nanotube composite on the film; applying voltage; and etching.

LIN X, JIANG K, FAN S

Making strip shaped graphene layer used as conductive layer in semiconductive device, comprises making drawn carbon nanotube film, disposing carbon nanotube composite, removing polymer material and etching nanotube segment and graphene film.

LIN X, JIANG K, FAN S

Making strip shaped graphene layer, comprises providing graphene film on substrate surface, disposing carbon nanotube structure on film, removing parts of film exposed by the strip-shaped gap by reactive ion etching, and separating.

LIN X, JIANG K, FAN S

Making strip shaped graphene layer used in semiconductor devices e.g. sensor, involves providing carbon nanotube structure comprising film on substrate surface, implanting carbon ions into substrate, and annealing substrate to obtain layer.

LIN X, JIANG K, FAN S