国家/地区 美国（97） 韩国（85） 世界知识产权组织（56） 日本（55） 中国（44） 欧洲专利局（EPO）（24） 台湾（21） 德国（8） 印度（7） 俄罗斯（6） 墨西哥（5） 加拿大（3） 香港（3） 新加坡（3） 土耳其（3） 巴西（2） 西班牙（2） 法国（2） 英国（2）
IPC部 C（129）
IPC大类 C01（129）
IPC小类 C01B（129）
IPC C01B031/02（129）
发明人 HONG B H（11） AHN J（7） CHOI J Y（7）
CHOI J（6） AHN J H（5） BAE S K（5）
FAN F Y（5） FAN S（5） HONG B（5）
LEE J（5） SHIN H（5） SHIN H J（5）
BAE S（4） JIANG K（4） LIN X（4）
公开年 2012（31） 2013（31） 2011（24） 2014（14） 2015（12） 2010（5） 2016（5） 2009（3）
申请年 2012（33）  2011（32）  2010（17）  2013（17）  2009（10）  2014（9）  2015（6）  2016（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（15） UNIV SUNGKYU.（9） GRAPHENE SQU.（8） UNIV SUNGKYU.（8）
HANWHA TECHW.（7） SAMSUNG TECH.（7） HON HAI PREC.（5） HONGFUJIN PR.（5）
UNIV SUNGKYU.（5） UNIV TSINGHU.（5） GUARDIAN GLA.（4） GUARDIAN IND（4）
GUARDIAN IND.（4） HANWHA AEROS.（4） KOREA ADV IN.（4） KOREA ADVANC.（4）
EMPIRE TECHN.（3） TE CONNECTIV.（3） TYCO ELECTRO.（3） UNIV CALIFOR.（3）

Producing thin film graphene oxide-bonded metal foil current collector for battery or supercapacitor, comprises preparing graphene oxide gel, dispensing and depositing layer of gel onto primary surfaces of foil, removing and heat treating.

ZHAMU A, LIN Y, JANG B Z

Producing highly conducting film of highly oriented conductor-bonded graphene sheets, useful in thermal management device, comprises e.g. preparing graphene dispersion having discrete graphene sheets dispersed in fluid medium.

ZHAMU A, JANG B Z

Formation of nitrogen-doped porous graphene envelope for metal catalyst involves vaporizing organic precursor and nitrogen precursor, heating substrate particles in reactor, and supplying the precursors using carrier gas to reactor.

KIM H, JANG B, KWON G H, KIM H Y, JANG B Y

Composite structure of graphene and carbon nanotube configured in a three-dimensional form used in electrodes, comprises graphene platelets, metal particles coated on graphene platelets, and carbon nanotubes formed on metal particles.

WU M Y, HSIEH C, PENG C, WU Y, XIE C, HSIEH C Y, PENG C S

Manufacturing graphene, comprises preparing support member, disposing carbon layer and catalyst layer, forming graphene, attaching carrier to graphene and forming graphene-forming structure, separating member and removing catalyst layer.

PARK C, CHO S, PARK C H, CHO S M

Manufacturing method of graphene laminated structure, involves setting film thickness of iron carbide film more than thickness of boron nitride layer.

OSHIMA H

Forming method of base film for graphene, involves heating substrate to temperature at which impurities are eliminated as gas, and heating substrate to temperature at which crystal grains of metal are grown in metal film.

NISHIDE D, MATSUMOTO T, KAGAYA M, IFUKU R

Manufacturing graphene film involves providing substrate, distributing graphene slurry on substrate, causing graphene slurry to distribute on substrate, and treating graphene slurry with atmosphere pressure plasma jet.

CHENG I, CHEN J, HSU C, CHOU P, LIU H, CHANG H, LIANG S, WU T, CHENG I C, CHEN J Z, HSU C C, CHOU P T, LIU H W, LIANG S P, WU T J

Making graphene used as an impenetrable gas barrier, comprises providing seed gas in presence of metallic substrate, providing pulsed, ultraviolet laser beam and moving substrate or laser beam relative to other.

CASTRO A H, OZYILMAZ B, STIER A V, TOH C T, DU Z, CASTRO N A H

Formation of binder-free hybrid carbon nanotube and graphene nanostructure for energy devices, involves forming on substrate, depositing catalyst particles and growing nanotubes on graphene layer using ethylene/hydrogen mixture.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M