国家/地区 美国（74）
IPC部 C（74）
IPC大类 C01（74） H01（74） B82（41）
C23（16） B01（12） B32（12）
C07（8） C25（8） H05（7）
B05（5） C09（5） C08（4）
B44（2） C22（2） C30（2）
IPC小类 C01B（74） H01L（39） B82Y（36）
H01B（23） H01M（20） C23C（15）
H01G（14） B32B（12） B01J（11）
B82B（9） C07C（8） B05D（5）
C25B（5） H05K（5） C01G（4）
IPC C01B031/02（74）
发明人 LEE J（6） YAMAZAKI Y（5） CHOI J（4）
MUELLEN K（4） SAITO T（4） SHIN H（4）
WADA M（4） CHOI J Y（3） FENG X（3）
GUO S（3） ISOBAYASHI A（3） KAJITA A（3）
KIM Y（3） LEE J H（3） LEE J S（3）
公开年 2014（45） 2013（19） 2015（10）
申请年 2013（74）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（9） TOSHIBA KK（8） MAX PLANCK G.（5） UNIV SUNGKYU.（5）
BASF CHINA C.（4） BASF SE（4） LEE J（3） SHIN H（3）
UNIV CALIFOR.（3） CALIFORNIA I.（2） CHOI J（2） DOKURITSU GY.（2）
EMPIRE TECHN.（2） FUJITSU LTD（2） GUO S（2） HANWHA AEROS.（2）
HANWHA TECHW.（2） KOREA ADVANC.（2） LEE S（2） LG ELECTRONI.（2）

Preparing anthracite based graphene oxide comprises e.g. preparing ultra-clean anthracite powder, adding dispersant, carrying out ultrasonication to prepare dispersion liquid, and preparing graphene oxide colloid solution.

ZHANG L, ZHANG M

Formation of binder-free hybrid carbon nanotube and graphene nanostructure for energy devices, involves forming on substrate, depositing catalyst particles and growing nanotubes on graphene layer using ethylene/hydrogen mixture.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Energy device used in supercapacitor application, comprises porous metal substrate, graphene layer deposited onto surface of porous metal substrate, carbon nanotubes, and metal oxide nanostructures.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Preparing graphene nanoplate (GNP) involves preparing expanded graphite (EG), and exfoliating, grinding, or cracking EG by colliding between expanded graphite by gas-phase high speed to crack EG induced by gas-phase-collision.

CHANG K I, SONG C K, KIM D H, HUR S H, KIM D, HSU S, SONG Z, ZHANG G

Use of amine precursor or its ammonium salt for depositing graphene film on substrate by chemical vapor deposition (CVD).

SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, ITO Y, SCHWAB M G S, MILLEN K

Transferring a graphene layer from a metal substrate to a second substrate by providing a graphene layer on the metal substrate, adsorbing hydrogen atoms on the metal substrate, and treating the metal substrate.

HUYGHEBAERT C, VEREECKEN P M, POURTOIS G

Manufacture of functionalized graphene used for e.g. barrier material, involves forming mixture using graphite oxide, solvent and functionalized compound containing sulfur and amino group, reacting, and recovering resultant graphene.

LEE J S, DO SEUNG H, JEON S Y, HAN G W, KONG J H, DO S H, LEE J, DO S, JEON S, HAN G, KONG J

Producing in electrochemical cell of one or more of graphene, graphite nanoplatelet structures, and graphane, involves passing current through cell to intercalate ions into graphitic negative electrode.

DRYFE R A W, KINLOCH I A, ABDELKADER A M, JEFF R A W, DRYFE R A V

Producing graphene, useful e.g. in secondary cell electrode comprises e.g. performing thermochemical reaction of crystalline carbide compound and halogen element-containing gas, and performing acid treatment, and reduction reaction.

YEON S H, SHIN K H, JIN C S, JUNG K N, JEON J D, SHIM J, YANG J H, LEE B S, JEON M S, WOOK A, YEON S, SHIN K, JIN C, JUNG K, JEON J, YANG J, LEE B, AHN W

Formation of graphene layer on substrate used for semiconductor device, involves forming carbon source layer and metal catalyst layer on substrate, converting carbon source layer into graphene layer and removing metal catalyst layer.

BAEK J, JEON S, LEE J, BAEK J W, JEON S W, LEE J S