国家/地区 中国(69) 日本(59) 美国(57) 世界知识产权组织(55) 韩国(47) 欧洲专利局(EPO)(29) 台湾(21) 加拿大(13) 德国(5) 印度(5) 澳大利亚(3) 西班牙(2)
IPC部 C(105)
IPC大类 C01(105)
IPC小类 H01M(105) C01B(100) B82Y(29)
H01G(23) C01G(19) H01B(13)
B01J(7) B32B(5) C23C(5)
H01L(5) B05D(4) B82B(4)
C08K(4) C09D(4) C25D(4)
IPC H01M004/13(105)
发明人 TAMAKI E(9) OGUNI T(6) KOKUNI T(5)
KUBOTA Y(5) TAKEUCHI T(5) SUN P(4)
TODORIKI H(4) TODOROKI H(4) YAMAZAKI S(4)
YANG S(4) YONEDA Y(4) HIROHASHI T(3)
KATO T(3) KIM H(3) KIM M(3)
公开年 2021(20) 2022(13) 2012(11) 2015(10) 2023(10) 2013(7) 2016(7) 2014(6) 2017(5) 2019(4) 2010(3) 2011(3) 2018(3) 2020(2)
申请年 2021(22)  2020(10)  2012(9)  2013(9)  2015(9)  2014(8)  2011(6)  2016(6)  2018(6)  2022(6)  2009(4)  2010(3)  2019(3)  2023(3) 
专利权人 SEMICONDUCTO.(18) TORAY IND IN.(9) TORAY ADVANC.(4) LG ENERGY SO.(3)
NINGDE AMPER.(3) UNIV GUANGDO.(3) ACAD SINICA(2) ALBEMARLE CO.(2)
BATTELLE MEM.(2) CHOI D(2) GM GLOBAL TE.(2) KIM J Y(2)
KOREA INST S.(2) KOREA RES IN.(2) LIU J(2) NANOTEK INST.(2)
NAT CENT NAN.(2) NAT INST MAT.(2) NIE Z(2) OGUNI T(2)

JEONG S Y, YANG S H, LEE G W, KIM I J, KIM B G, RYU J H, LEE H J, JEONG S, YANG S, LEE G, KIM I, KIM B, RYUJIHYUN, LEE H, JUNG S Y