国家/地区 美国（40） 韩国（27） 中国（21） 世界知识产权组织（21） 日本（19） 欧洲专利局（EPO）（10） 台湾（8） 法国（4） 德国（3） 西班牙（2）
IPC部 B（56）
IPC大类 C01（56）
IPC小类 C01B（56）
IPC C01B031/02（46） B82Y040/00（37） B82Y030/00（32）
C23C016/26（32） C01B031/04（29） H01B001/04（15）
B82B003/00（9） B01J019/08（7） B32B009/00（7）
H01B013/00（7） B32B009/04（6） C23C016/02（6）
C23C016/56（6） B05D005/12（5） C01B032/186（5）
发明人 HONG B H（6） FAN F Y（5） FAN S（5）
JIANG K（5） LIN X（5） XIAO L（5）
AHN J（4） CHOI I S（4） LEE K J（4）
LIN X Y（4） AHN J H（3） HONG B（3）
LEE K（3） LEE S（3） YOO J B（3）
公开年 2012（31） 2013（14） 2011（11）
申请年 2011（56）
专利权人 HON HAI PREC.（5） HONGFUJIN PR.（5） KOREA ADV IN.（5） UNIV SUNGKYU.（5）
UNIV SUNGKYU.（5） UNIV TSINGHU.（5） SAMSUNG ELEC.（4） SAMSUNG TECH.（4）
CENT NAT REC.（3） EMPIRE TECHN.（3） GRAPHENE SQU.（3） HANWHA TECHW.（3）
INT BUSINESS.（3） KOREA ADVANC.（3） UNIV SUNGKYU.（3） CHINESE ACAD.（2）
COMMISSARIAT.（2） INST NAT POL.（2） JX NIPPON MI.（2） SHANGHAI INS.（2）

Coproducing carbon nanotube and graphene used in polymer matrix, by decomposition at high temperature of carbon source in gas state, comprises contacting carbon source with catalyst comprising mixture of active catalyst-A and catalyst-B.

BEAUSOLEIL J, SERP P, BACSA R, CAUSSAT B

Producing graphene comprises contacting solid catalyst in divided state comprising mixed oxide with gaseous composition flow comprising carbon source, where solid catalyst has single crystal structure and average crystalline domain size.

BACSA R, SERP P

Manufacture of graphene involves forming carbon-doped metal substrate, melting carbon-doped metal substrate by laser beam, cooling substrate and moving carbon-doped metal substrate in cooling phase.

LEE K J, CHOI I S

Producing graphene comprises doping carbon in metallic board, fusing board with carbon by irradiation, cooling fused metallic board, where carbon moves to metal board surface after cooling and growing grapheme on metal board surface.

LEE K J, CHOI I S

Formation of patterned graphene layer on substrate used for low-noise amplifier, involves forming patterned structure(s) of carbide-forming metal or metal-containing alloy on substrate, applying layer of graphene and heating.

AFZALIARDAKANI A, MAAROUF A, MARTYNA G J, SAENGER K, AFZALIARDAKANI A C O I

Copper foil for manufacture of graphene for e.g. transparent electrode, conductive thin film of display element, mercury-free fluorescent lamp and carrier of drug delivery system, includes specified amount of preset plane on surface.

KOBIKI T, SAKAGUCHI K, KOHIKI M

Synthesizing graphene sheet on platinum silicide, by forming stack by e.g. placing first layer of diffusion barrier material on substrate and placing second layer of silicon carbonaceous material on first layer and thermally treating stack.

ZENASNI A

Apparatus for synthesizing graphene film on copper foil, has quasi enclosed substrate holder including open side, and cap placed over open side, where substrate is located inside holder for graphene film synthesis.

BOI A A, LI X, BOL A A

Method for preparing graphene through chemical vapor deposition, involves using ethanol as carbon source and pure aluminum nanopowder as reaction catalyst.

SANCHEZ R M, YOSHIDA M M, FLORES W A, BUSTAMANTE R P, CAMACHO VILLARELLO G V, MADRID P A, BUSTAMANTE F P

Apparatus for growing carbon nanostructure i.e. graphene, on fiber for current carbon nanotube synthesis technique, has substrate inlet sized before growth zones to allow spoolable length substrate to pass through growth zones.

MALECKI H C, DAHNE J L, LOEBACH J P, GAIGLER R L, LEDFORD J T, MALECKI H, DAHNE J, LOEBACH J, GAIGLER R, LEDFORD J