国家/地区 美国（1121）
IPC部 C（1121）
IPC大类 C01（1121）
IPC小类 C01B（1121）
IPC C01B031/04（549） C01B031/02（417） B82Y040/00（346）
B82Y030/00（345） H01B001/04（228） C01B032/182（205）
H01M004/62（189） C01B032/194（182） H01M004/36（174）
H01L029/16（173） H01L021/02（162） C23C016/26（147）
H01M010/0525（141） C01B032/184（131） H01M004/587（123）
发明人 JANG B Z（53） ZHAMU A（46） LEE J（37）
SHIN H（35） SHIN H J（31） CHOI J（29）
KIM H（22） CHOI J Y（21） KIM S（20）
LEE C（20） LEE S（20） SHIN K（18）
KIM J（17） LEE C S（17） PARK S（17）
公开年 2015（131） 2014（117） 2013（115） 2021（113） 2012（106） 2017（101） 2016（95） 2011（70） 2018（60） 2022（60） 2010（34） 2020（34） 2023（29） 2009（19） 2019（19） 2008（4） 2002（3） 2003（3） 2007（3） 2004（2）
申请年 2014（123）  2013（118）  2012（115）  2015（114）  2016（97）  2011（90）  2021（83）  2020（69）  2017（64）  2010（63）  2022（46）  2009（43）  2019（39）  2018（28）  2008（10）  2002（6）  2007（5）  2005（2）  2006（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（85） NANOTEK INST.（49） SEMICONDUCTO.（36） UNIV SUNGKYU.（31）
TOSHIBA KK（29） JANG B Z（25） ZHAMU A（24） UNIV CALIFOR.（21）
KOREA INST S.（18） UNIV SUNGKYU.（18） HANWHA TECHW.（15） HON HAI PREC.（14）
INT BUSINESS.（14） SAMSUNG TECH.（14） UNIV TSINGHU.（14） EMPIRE TECHN.（13）
HONGFUJIN PR.（13） BASF SE（12） FUJITSU LTD（12） GLOBAL GRAPH.（12）

Hard mask film used in etching process for manufacturing semiconductor device, comprises first graphene layer, first amorphous carbon layer on first graphene layer, second graphene layer on first amorphous carbon layer, and second amorphous carbon layer on second graphene layer.

KIM Y, OH S, AN S, AHN S J, OH S R, KIM Y U, AN X

Battery-powered analyte sensing system used in Three-dimensional (3D) printing techniques, comprises printed battery comprising anode, comprises non-toxic biocompatible metal, first carbon-based current collector in electrical contact with anode and 3D hierarchical mesoporous carbon-based cathode.

CHMIOLA J, SINGH S, LIM S H, COOK D, MONTALVO C, STOWELL M W, LANNING B

Producing and depositing graphene film on anode involves creating graphite dispersion, electrostatically charging graphene dispersion by addition of organic amine salt, and applying conductive graphene film to anode by electrophoretic deposition.

WEIJIA L, GONG S

Preparing reduced acylated graphene oxide used in electrode active material of lithium secondary battery, involves subjecting graphene oxide to acylation reaction to prepare acylated graphene oxide, and reducing the acylated graphene oxide.

KIM D H, PARK S, YEON S, SHIN K, JIN C, HWANG S H, SEUNGHAE H, JIN C S, HEE S K

Preparing carbon particle, involves loading hydrocarbon gas into inert gas to form gas mixture within reactor, heating gas mixture to form heated gas mixture, and mixing natural gas into heated gas mixture within the reactor to form carbon particle.

HANSON R J, JOHNSON P L, TAYLOR R W, HARDMAN N J

Anode used for battery, comprises carbon shell comprising outer surface, inner volume and several pinholes, anode particles, and graphene flakes(s) arranged on outer surface of carbon shell.

MOGHIMIAN N, NAZARPOUR S

Interconnect structure for electronic device, comprises first dielectric layer including trench, conductive wire filling inside of trench, first cap layer on top surface of conductive wire, first cap layer including doped graphene, and doped graphene being graphene doped with group fifth element.

JUNG A, KIM S, SHIN K, SHIN K W, KIM S T, JUNG A R

Process of producing cathode electrocatalyst for metal-air batteries, involves providing carbon source suspension that includes an inorganic carbon source, metal source solution including a metal source, and nitrogen source solution including a nitrogen source.

LEE C, PAN C, KUO Y, LEE C I, PAN C J, GUO Y S

Semiconductor device comprises interconnection structure comprises seed layer disposed on first conductive layer, seed layer including graphene; and metal migration barrier layer disposed on seed layer, metal migration barrier layer including MXene.

HAN J H, KOO W T, HAN Z, KOO W, TAE K W

Graphene interconnect structure useful for electronic device comprises first oxide dielectric layer including porous silicon oxide, or amorphous boron nitride, second oxide dielectric layer including aluminum oxide and graphene layer.

KIM C, BYUN K E, SHIN K W, LEE C S, BAEKWON P, PARK B, LEE C, SHIN K, BYUN K