国家/地区 美国（39） 中国（21） 韩国（19） 世界知识产权组织（19） 日本（17） 欧洲专利局（EPO）（11） 台湾（7） 法国（4） 德国（3） 西班牙（2）
IPC部 B（45）
IPC大类 B82（45）
IPC小类 B82Y（45）
IPC B82Y040/00（39） B82Y030/00（34） C01B031/02（32）
C01B031/04（27） C23C016/26（25） H01B001/04（14）
B32B009/00（7） B82B003/00（7） B32B009/04（6）
C23C016/02（6） C23C016/56（6） H01B013/00（6）
B05D005/12（5） C01B032/186（5） C23F001/02（5）
发明人 HONG B H（6） FAN F Y（5） FAN S（5）
JIANG K（5） LIN X（5） XIAO L（5）
AHN J（4） LIN X Y（4） AHN J H（3）
HONG B（3） LEE S（3） BACSA R（2）
BAE S K（2） DING G（2） FENG X（2）
公开年 2012（24） 2011（11） 2013（10）
申请年 2011（45）
专利权人 HON HAI PREC.（5） HONGFUJIN PR.（5） UNIV SUNGKYU.（5） UNIV TSINGHU.（5）
SAMSUNG ELEC.（4） UNIV SUNGKYU.（4） CENT NAT REC.（3） EMPIRE TECHN.（3）
GRAPHENE SQU.（3） INT BUSINESS.（3） BASF SE（2） CHINESE ACAD.（2）
COMMISSARIAT.（2） INST NAT POL.（2） KOREA ADV IN.（2） MAX PLANCK G.（2）
SAMSUNG TECH.（2） SHANGHAI INS.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Coproducing carbon nanotube and graphene used in polymer matrix, by decomposition at high temperature of carbon source in gas state, comprises contacting carbon source with catalyst comprising mixture of active catalyst-A and catalyst-B.

BEAUSOLEIL J, SERP P, BACSA R, CAUSSAT B

Producing graphene comprises contacting solid catalyst in divided state comprising mixed oxide with gaseous composition flow comprising carbon source, where solid catalyst has single crystal structure and average crystalline domain size.

BACSA R, SERP P

Formation of patterned graphene layer on substrate used for low-noise amplifier, involves forming patterned structure(s) of carbide-forming metal or metal-containing alloy on substrate, applying layer of graphene and heating.

AFZALIARDAKANI A, MAAROUF A, MARTYNA G J, SAENGER K, AFZALIARDAKANI A C O I

Synthesizing graphene sheet on platinum silicide, by forming stack by e.g. placing first layer of diffusion barrier material on substrate and placing second layer of silicon carbonaceous material on first layer and thermally treating stack.

ZENASNI A

Apparatus for synthesizing graphene film on copper foil, has quasi enclosed substrate holder including open side, and cap placed over open side, where substrate is located inside holder for graphene film synthesis.

BOI A A, LI X, BOL A A

Method for preparing graphene through chemical vapor deposition, involves using ethanol as carbon source and pure aluminum nanopowder as reaction catalyst.

SANCHEZ R M, YOSHIDA M M, FLORES W A, BUSTAMANTE R P, CAMACHO VILLARELLO G V, MADRID P A, BUSTAMANTE F P

Apparatus for growing carbon nanostructure i.e. graphene, on fiber for current carbon nanotube synthesis technique, has substrate inlet sized before growth zones to allow spoolable length substrate to pass through growth zones.

MALECKI H C, DAHNE J L, LOEBACH J P, GAIGLER R L, LEDFORD J T, MALECKI H, DAHNE J, LOEBACH J, GAIGLER R, LEDFORD J

Partially altering defect area in layer on substrate, comprises receiving the layer including graphene and some defect areas in graphene, and exposing the layer to gas including hydrogen, boron, aluminum, gallium, indium and/or thallium.

MILLER S, MILLER S A

Preparing surface of epitaxial graphene sample for atomic layer deposition (ALD) of dielectric in ALD reactor, comprises pre-treating (e.g. immersing in e.g. hydrofluoric acid) sample ex situ outside reactor and then in situ inside reactor.

GARCES N, WHEELER V D, GASKILL D K, EDDY C R, JERNIGAN G G

Stable graphene film for graphene transparent electrode for touch screen, comprises graphene film and conductive protective film.

AHN J H, HONG B H, YAN C, AHN J