国家/地区 中国（122） 美国（95） 日本（74） 韩国（71） 世界知识产权组织（56） 欧洲专利局（EPO）（34） 印度（10） 台湾（9） 墨西哥（6） 俄罗斯（6） 巴西（4） 加拿大（4） 德国（3） 西班牙（3） 法国（2） 新加坡（2）
IPC部 C（256） B（109） H（101）
G（12） D（8） A（3）
F（2）
IPC大类 C01（256） H01（97） B82（81）
C23（35） B01（29） B32（28）
B05（26） C08（17） C07（11）
C09（10） B29（8） H05（6）
C30（5） D01（5） B22（4）
IPC小类 C01B（256）
IPC C01B031/04（161） C01B031/02（129） B82Y040/00（48）
B82Y030/00（45） C01B031/00（31） B82B003/00（30）
H01B001/04（29） C23C016/26（24） B32B009/00（19）
H01L029/786（13） B01J019/08（11） H01M004/583（11）
B82B001/00（10） H01L021/20（10） B05D003/02（9）
发明人 WANG Y（21） ZHOU M（19） CHOI J Y（8）
CHOI J（7） ZHONG L（6） FUJII K（5）
HONG B H（5） LEE J H（5） LI Y（5）
LIU D（5） SHIN H J（5） CHEN X（4）
CHOI W（4） CHOI W M（4） LEE Y H（4）
公开年 2011（128） 2012（77） 2010（48）
申请年 2010（256）
专利权人 HAIYANGWANG .（19） OCEANS KING .（19） SAMSUNG ELEC.（15） UNIV SUNGKYU.（11）
OCEAN S KING.（9） UNIV SHANGHA.（6） UNIV SUNGKYU.（6） FUJI ELECTRI.（5）
WANG Y（5） ZHOU M（5） FUJITSU LTD（4） HITACHI LTD（4）
KOREA ADV IN.（4） LEE J H（4） SAMSUNG TECH.（4） UNIV TIANJIN（4）
UNIV TSINGHU.（4） VORBECK MATE.（4） ARIZONA BOAR.（3） CHINESE ACAD.（3）

Electronic device including graphene-based layer(s), and/or method of making the same.

VEERASAMY V S

Manufacturing large scale substrate free high purity graphene polyhedral structures at industrial scale cost effectively by utilizing chemical vapor deposition.

DEV A

Organic electronic device structure comprises a graphene layer on which organic molecules (with or without dopants) are deposited to form an organic layer on top of the graphene layer.

DIVYA

Circuit apparatus for e.g. electronic integrated circuit device, comprises graphene film which consists of several layers, metal electrode directly joined to graphene film, and another metal electrode directly joined to graphene film.

OKAI M, HIROKA M, WADA Y

Preparation of reduced graphene oxide in the form of film by contacting graphene oxide and metal oxide or reducible metal oxide with acid.

LIANG M, LUO B, QIU T, WANG J, ZHI L

Forming graphene oxide pattern, comprises e.g. preparing substrate, forming self-assembling monomolecular film on substrate, covering film using mask to expose, and removing mask to obtain self-assembling monomolecular film template.

CHENG Q, HAN B, SUN S, WU C

Obtaining and splitting poly-layer graphane (polygraphane) comprises loosely connecting graphane layers, and using carbon material source loosely coupled graphene layers (printing), which differs from known methods for producing graphane.

NECHAEV YU S

Manufacture of graphene involves preparing mixed solution of graphite powder, saccharide and oxidizing agent, centrifuging obtained solution, extracting, and heating.

OH W T, KIM J S, KOO M S, KIM D H

Manufacture of nitrogen-containing graphene involves reacting natural graphite and nano carbon fiber powder, and replacing nitrogen functional group within lattice of graphene by processing in nitrogen atmosphere.

IK P H, IL J B, JUNG C A, SEI M P, YONG J K

Formation of graphene-based device used in electronic field, involves depositing carbon on substrate having dielectric material, annealing carbon-deposited substrate, and forming ordered graphene on dielectric material.

KELBER J A, GADDAM S S, BJELKEVIG C L