国家/地区 中国(10)
IPC部 B(10)
IPC大类 C01(10) B82(9) H01(7)
B01(3) B05(2) C07(2)
C08(2)
IPC小类 C01B(10)
IPC C01B031/00(10)
发明人 HIROHASHI T(2)
公开年 2012(7) 2013(3)
申请年 2012(10)
专利权人 SEMICONDUCTO.(3)

BLANKENBURG S, CAI J, FASEL R, FENG X, MUELLEN K, PASSERONE D, PIGNEDOLI C, RUFFIEUX P, MULLEN K, PIGNEDOLI C A, TSAI J, CAI Y

DELGADO SANCHEZ J M, SANCHEZCORTEZON E, ATIENZAR CORVILLO P, PRIMO ARNAU A M, GARCIA GOMEZ H, DELGADO S J M, SANCHEZ C E, ATIENZAR C P, PRIMO A A M, GARCIA G H, SANCHEZ CORTEZON E, SANCHEZ J M D, CORTEZON E S, CORVILLO P A, ARNAU A M P, GOMEZ H G