国家/地区 日本（52）
IPC部 C（52）
IPC大类 C01（52） H01（36） B82（29）
B32（10） C07（9） C23（8）
C25（7） B01（6） C08（6）
C09（6） H05（4） C30（3）
B02（2） B29（2） B44（2）
IPC小类 C01B（52）
IPC C01B031/04（52）
发明人 MUELLEN K（5） FENG X（4） MILLEN K（4）
MULLEN K（4） CAI J（3） CHENG Q（3）
FASEL R（3） RUFFIEUX P（3） TSAI J（3）
WU Z（3） ABDELKADER A M（2） CHIBA Y（2）
CHIBA YOSHIHIRO（2） DRYFE R A W（2） HINTERMANN T（2）
公开年 2014（23） 2013（18） 2015（11）
申请年 2013（52）
专利权人 BASF CHINA C.（6） BASF SE（6） MAX PLANCK G.（6） UNIV MANCHES.（3）
BASF SCHWEIZ.（2） CARBON NANO .（2） DOKURITSU GY.（2） EMPA EIDGENO.（2）
EMPA MATERIA.（2） JX NIPPON MI.（2） NAT INST ADV.（2） NAT INST MAT.（2）
NIPPON MININ.（2） SEKISUI CHEM.（2） SEKISUI CHEM.（2） SHENZHEN CAN.（2）
TORAY ADVANC.（2） TORAY IND IN.（2）

Preparing anthracite based graphene oxide comprises e.g. preparing ultra-clean anthracite powder, adding dispersant, carrying out ultrasonication to prepare dispersion liquid, and preparing graphene oxide colloid solution.

ZHANG L, ZHANG M

Preparing graphene oxide based on mixed acid system comprises e.g. washing graphite, drying, smashing, passing through sieve, preparing graphite powder, adding plugging agent, preparing first acid system and then second acid system.

ZHANG L, ZHANG M

Patterning of graphene oxide film used in production of electronic component, involves depositing graphene oxide film on substrate, reducing portion of film, and producing pattern of reduced graphene oxide area in graphene oxide film.

BORINI S, WEI D, WHITE R, BESSONOV A A

Carbon film e.g. graphene nanoribbon used for electroconductive element and carbon film element, comprises specific polyphenylene polymer, and has specific width or specific shape.

YAMAMOTO S, GOTO D, MIYAGAWA S

Production of graphene oxide and/or graphite oxide nanoplatelet structure used for e.g. sensors, involves passing current through cell to intercalate anions into graphitic positive electrode and exfoliating.

ABDELKADER A, KINLOCH I, DRYFE R

Manufacture of graphene powder used for, e.g. electronic components, involves cleaving raw material containing graphite by jet stream of gas at specific speed, and micronizing.

HASEGAWA SHOJI, KAMIYA NAGISA, HASEGAWA S, KAMIYA N

Formation of binder-free hybrid carbon nanotube and graphene nanostructure for energy devices, involves forming on substrate, depositing catalyst particles and growing nanotubes on graphene layer using ethylene/hydrogen mixture.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Use of amine precursor or its ammonium salt for depositing graphene film on substrate by chemical vapor deposition (CVD).

SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, ITO Y, SCHWAB M G S, MILLEN K

Transferring a graphene layer from a metal substrate to a second substrate by providing a graphene layer on the metal substrate, adsorbing hydrogen atoms on the metal substrate, and treating the metal substrate.

HUYGHEBAERT C, VEREECKEN P M, POURTOIS G

Manufacture of functionalized graphene used for e.g. barrier material, involves forming mixture using graphite oxide, solvent and functionalized compound containing sulfur and amino group, reacting, and recovering resultant graphene.

LEE J S, DO SEUNG H, JEON S Y, HAN G W, KONG J H, DO S H, LEE J, DO S, JEON S, HAN G, KONG J