国家/地区 韩国（46）
IPC部 C（46）
IPC大类 C01（46） B82（33） H01（28）
B32（15） C23（15） B01（13）
H05（6） C08（5） C09（4）
C22（4） B05（3） B21（3）
B29（3） A61（2） C07（2）
IPC小类 C01B（46）
IPC C01B031/02（40） B82Y030/00（29） C01B031/04（29）
B82Y040/00（26） C23C016/26（10） H01B001/04（9）
B82B003/00（7） H01L029/16（6） H01M004/36（6）
H01M004/583（6） C01B031/00（5） C01B032/182（5）
C01B032/186（5） H01L021/02（5） H01L029/06（5）
发明人 CHOI J（5） AHN J（4） CHOI J Y（4）
KIM H（4） SHIN H（4） SHIN H J（4）
CHIBA G（3） CHIBA Y（3） HONG B H（3）
OGUNI T（3） YOSHIHIRO C（3） AHN J H（2）
AHN J R（2） HIROHASHI T（2） HONG B（2）
公开年 2012（46）
申请年 2012（46）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（6） UNIV SUNGKYU.（6） UNIV SUNGKYU.（5） HANWHA TECHW.（4）
SAMSUNG TECH.（4） SEMICONDUCTO.（4） JX NIPPON MI.（3） NIPPON MININ.（3）
NIPPON MININ.（3） GRAPHENE SQU.（2） HANWHA AEROS.（2） KOREA INST S.（2）
NIPPON MININ.（2） UNIST ACADIN.（2） UNIV HANYANG.（2） UNIV MANCHES.（2）
UNIV NORTH T.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Preparing graphene-layered structure e.g. epitaxial structure that is useful in e.g. transistor, by implanting nitrogen and oxygen ions on surface of silicon carbide thin film to form ion implantation layer and heat treating the film.

SHIN H, CHOI J, AHN J, SEO J, AHN J R, CHOI J Y, SEO J T, SHIN H J

Graphene useful in power storage device e.g. display devices having at least one hole inside a ring-like structure formed by carbon and nitrogen or carbon and at least one element selected from Group 16 element and halogen.

HIROHASHI T, OGUNI T, KOKUNI T

Graphene comprising a hole, useful e.g. for coating an electrode and an active material which are useful in a power storage device and an electric appliance e.g. a display device, a lighting device and a desktop personal computer.

HIROHASHI T, ADACHI S

Producing graphene, used in e.g. capacitor and ink, comprises providing metallic particles as templates, providing carbon source, reacting metallic particles and carbon source and forming graphene particles on metallic particles.

COLEMAN K

Growing a one or two monolayer film of graphene on a substrate, comprises depositing a first layer of graphene on the substrate, and annealing the carbon layer to form an ordered graphene layer one or two monolayers thick on the substrate.

KELBER J

Method for non-destructively transferring graphene, involves nondestructively combining graphene coated with media with target substrate, and removing media to transfer graphene to target substrate nondestructively.

REN W, GAO L, MA L, CHENG H

Lithium ion secondary battery used for e.g. electrical machinery, has graphene layers which are provided with concavo-convex portion.

TEPEY O, TAKESHI O, TOSHIHIKO T, KUNIHARU N, OGUNI T, NAGATA T, TAKEUCHI T, NOMOTO K, OSADA T

Copper foil for manufacturing graphene, has specified sum total of oxides and sulfides having diameter of below preset value before heating under hydrogen and argon-containing atmosphere.

CHIBA Y, YAMAJI T, YOSHIHIRO C, TATSUYA Y, CHIBA G

Copper foil for manufacturing graphene, has specified total number of oxide and sulfide having specified diameter with respect to elemental-analysis measurement of surface using scanning electron microscope.

CHIBA Y, YAMAJI T, YOSHIHIRO C, TATSUYA Y, CHIBA G