国家/地区 中国（33）
IPC部 B（33）
IPC大类 B82（33）
IPC小类 C30B（33）
IPC B82Y040/00（30） B82Y030/00（23） C01B031/04（19）
C30B029/02（14） C01B031/02（11） C23C016/26（10）
C01B032/186（8） C30B025/18（8） C01B032/184（6）
C01B032/188（6） C01B032/182（5） C30B029/64（5）
H01L021/02（5） B82B003/00（4） C01B032/194（4）
发明人 VEERASAMY V（3） VEERASAMY V S（3） WANG H（3）
XIE X（3） CASTRO A H（2） DING G（2）
LI C（2） LIU Q（2） LOH K（2）
LOH K P（2） MA S（2） MA T（2）
PAN G（2） SUN G（2） ZHANG K（2）
公开年 2012（6） 2011（5） 2013（4） 2014（3） 2015（3） 2017（3） 2016（2） 2021（2） 2022（2）
申请年 2012（7）  2011（4）  2013（3）  2014（3）  2015（3）  2020（3）  2009（2）  2010（2）  2016（2）  2021（2） 
专利权人 GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3） GUARDIAN IND.（3） SHANGHAI INS.（3）
UNIV SINGAPO.（3） CHINESE ACAD.（2） DING G（2） UNIV BEIJING.（2）
UNIV BEIJING.（2） UNIV SINGAPO.（2） XIE X（2） ZHANG K（2）

Method for preparing micro-nano materials comprise e.g. introducing sacrificial carrier into slurry containing raw materials and auxiliary agents, shaping and drying to form mixture, synthesizing preform to prepare porous body made of micro-nano materials, and performing dispersion operation.

LI Q

Preparing high-quality third-fifth compound substrate used in photoelectronic device, photoelectric integration, ultra-high-speed microelectronic device, involves providing third group metal-organic source mixed precursor.

WANG G, YAN Q

Assembly method of plant device containing lead-free double perovskite quantum dot crystal involves preparing lead-free double perovskite quantum dot crystal, packaging the lead-free double perovskite quantum dot crystal.

CHEN Q, SHI M, ZOU J, JIN D, WAN W, ZHOU Y

Preparing ditelluride nanosheet comprises mixing and reacting metal ditelluride crystals, alkali metal salt and aprotic solvent to obtain intermediate inserted with alkali metal ions, and exfoliating with alkali metal ions in protic solvent.

WU C, PENG J, GUO Y, XIE Y

Composition of article used for solar cell, comprises sapphire, silicon, gallium oxide or specific group semiconductor substrate, and intermediate specific group semiconductor layer, graphene layer, holes, and nanowires or nanopyramids.

MUNSHI M, WEMAN H, DHEERAJ D L, FIMLAND B M, VIGEN L, BARRIET D, PIMLANDBJOERNOBEEM, WIGGENREIDULPH, DAVID B

Growing zinc vanadate oxide/graphene-single-walled carbon nanotubes material with ionic liquid assisted in-situ composite specific crystal surface in zinc ion battery comprises e.g. compounding zinc vanadate oxide nanowire and assembling.

SUN Y, LI C, JIN Y, FU J, WU H

Graphene boundary control method comprises providing an insulating substrate, placing in a growth chamber, introducing first reaction gas and controlling the flowrate of first reaction gas.

WANG H, CHEN L, HE L, XIE H, WANG X, XIE X

Membrane for providing selective permeability in filtration applications, comprises sheet of graphene-based material having perforations with specified pore size, non-graphenic carbon-based material, and contact areas between materials.

SWETT J L, BEDWORTH P V, HEISE S E, SINTON S W, SIMON S M, BULLOCK S E, LIU H, SINSABAUGH S L

Manufacture of graphene for graphene material, involves purging hydrocarbon gas and auxiliary gas into variable pressure coupled plasma apparatus, applying intermediate frequency electromagnetic wave and dissolving hydrocarbon gas.

HUANG K, ZHANG Z, KOU C, HUANG K P, CHANG C C, KOU C S

Preparation method of graphene nanobelts, involves heat-treating dried linear nano-crystals.

YU G, XU J, ZHANG J, WANG H