国家/地区 美国（70）
IPC部 C（70）
IPC大类 C01（70）
IPC小类 C01B（70）
IPC C01B031/02（54） C01B031/04（46） B82Y030/00（45）
B82Y040/00（38） H01B001/04（31） H01L029/786（13）
B82B003/00（12） B32B009/00（11） H01L021/20（11）
C01B031/00（10） B82B001/00（9） C23C016/26（9）
B05D005/12（8） H01L021/336（8） B82Y099/00（7）
发明人 CHOI J（6） CHOI J Y（6） AHN J（5）
HONG B H（5） BAE S K（4） JANG B Z（4）
KIM H K（4） SHIN H（4） SHIN H J（4）
VEERASAMY V（4） VEERASAMY V S（4） ZHAMU A（4）
BAE S（3） CHOI B（3） CHOI B L（3）
公开年 2011（70）
申请年 2010（37）  2011（21）  2009（12） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（12） UNIV SUNGKYU.（9） UNIV SUNGKYU.（6） GUARDIAN GLA.（4）
GUARDIAN IND（4） GUARDIAN IND.（4） JANG B Z（4） NANOTEK INST.（4）
ZHAMU A（4） BASF SE（3） GRAPHENE SQU.（3） HON HAI PREC.（3）
HONGFUJIN PR.（3） UNIV SUNGKYU.（3） UNIV SUNGKYU.（3） UNIV SUNGKYU.（3）
UNIV TSINGHU.（3） AHN J（2） BAE S（2） HITACHI LTD（2）

Forming graphene used in e.g. bioanalytics involves providing graphite sample having atomic layers of carbon; introducing solvent and ions into spaces between the atomic layers; expanding space; and separating the layers using driving force.

LOH K P, WANG J, JUNZHONG B, LOH K, LUO J, ZUNZHONG W

Graphene composition, useful in electrical device, preferably e.g. sensor, bipolar junction transistor, field effect transistor and light emitting diode, comprises a graphene monolayer and an alkali metal disposed on the graphene monolayer.

SHIN H, CHOI J, AHN J, JEON C, AHN J R, CHOI J Y, JEON C H, SHIN H J

New graphene comprising a structure of carbon atoms partially substituted with boron atoms and nitrogen atoms, where the graphene has a band gap, useful in a channel of a transistor.

LEE S, SEO S, WOO Y, CHUNG H, HEO J, LEE S H, SEO S A, WOO Y S, CHUNG H J, HEO J S, HUN L S

Method for depositing graphene on substrate for semiconductor device, involves heating substrate in chemical vapor deposition chamber and flowing carbon precursor into chamber.

PADHI D, JANZEN J, SHAIKH S, KIM B, CHIN B, KIM B H

Manufacture of reduced graphene oxide for manufacturing reduced graphene-polymer composite, involves treating graphite with strong acid, mixing with halogen-substituted aromatic compound and stirring.

KU B C, PARK O K, LEE S H, NA S I, JO H I, KIM J K, LEE J H, KU B, PARK O

Forming graphene nano ribbon used in display device involves depositing graphene sheet on surface of substrate, forming plasma mask with nano pattern on sheet, and forming nano pattern in sheet by plasma treating stack structure having mask.

SHIN H, CHOI J, LEE Y, HAN G, CHOI J Y, HAN G H, LEE Y H, SHIN H J

Nanoparticles, useful in electrochemical cells and supercapacitors for storing and/or releasing lithium ions, comprise component A of metals, semimetals, metal compounds or semimetal compounds e.g. lithium cobalt oxide, and graphene coating.

IVANOVICI S, YANG S, FENG X, MUELLEN K, MULLEN K

Film, useful in semiconductor devices for displays devices and field effect transistors, comprises a base layer having amino groups, and a reduced graphene oxide layer formed on the base layer.

KOBAYASHI T, TOSHIYUKI K

Preparation of graphene-type conductive material involves applying oxide graphene sol and metal salt solution and/or metal colloidal solution on substrate layer, separating, forming solid film and treating at specified condition.

LIANG M, ZHI L

Article e.g. photodetector, comprises graphene layer having work function and metal oxide film having work function greater than work function of graphene layer, formed on graphene layer.

CHEN W, CHEN Z, WEE T S A, XIE L, WANG X, SUN J, ARIANDO, HWANG J, CHEN V, CHEN ZH, WEE T SH A, SUN Y