国家/地区 中国（585）
IPC部 C（370） H（185） B（181）
G（41） D（21） A（13）
F（6） E（2）
IPC大类 C01（226） H01（179） B82（91）
B01（75） C08（70） C23（39）
C09（35） G01（29） B32（22）
C30（19） C02（15） D01（15）
C07（13） C25（13） A61（10）
IPC小类 C01B（225） B82Y（91） B01J（67）
H01M（67） H01L（61） C08K（56）
C08L（47） H01G（38） C23C（37）
H01B（28） G01N（27） B32B（22）
C08G（20） C08F（19） C09K（19）
IPC C01B031/04（208） B82Y040/00（68） B82Y030/00（58）
C08K003/04（55） C01B031/02（45） C23C016/26（22）
H01G009/042（22） H01M004/62（18） C08K009/04（16）
H01L021/02（16） C30B029/02（14） H01B013/00（14）
H01M004/38（14） H01M004/58（14） H01M004/583（14）
发明人 ZHANG Y（49） LI Y（36） GUO H（31）
WANG Z（29） ZHANG K（29） WANG X（27）
LEI T（25） WANG Y（22） DENG P（21）
ZHANG F（20） ZHANG X（19） LI J（18）
WANG L（17） CHEN Y（15） XU Z（15）
公开年 2012（585）
申请年 2012（585）
专利权人 UNIV ZHEJIAN.（45） UNIV XIDIAN（28） UNIV SHANGHA.（25） HARBIN INST .（16）
UNIV SOUTHEA.（15） UNIV PEKING（13） UNIV DONGHUA（12） CHINESE ACAD.（11）
UNIV CHINA E.（11） UNIV CHANGZH.（10） UNIV SHANGHA.（10） CHINESE ACAD.（9）
UNIV BEIJING.（9） UNIV JIANGSU（9） UNIV TIANJIN（9） UNIV TSINGHU.（8）
CHANGZHOU SI.（7） SHANGHAI INS.（7） UNIV HEILONG.（7） UNIV NANJING（7）

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Reverse osmosis membrane, has microporous support layer and polyamide-based active layer, which is formed on microporous support layer and comprises graphene containing compound.

LEE P, SHIN C, YOO J, JEONG S, LEE Y, SHIN C K, YOO J E, JEONG S P, LEE Y J, WOO J, JUNG S

Graphene useful in power storage device e.g. display devices having at least one hole inside a ring-like structure formed by carbon and nitrogen or carbon and at least one element selected from Group 16 element and halogen.

HIROHASHI T, OGUNI T, KOKUNI T

Graphene comprising a hole, useful e.g. for coating an electrode and an active material which are useful in a power storage device and an electric appliance e.g. a display device, a lighting device and a desktop personal computer.

HIROHASHI T, ADACHI S

Multilayer graphene, useful in power storage device e.g. display devices, video cameras and lighting devices, comprises graphenes stacked in layered manner, where graphenes comprise six-membered ring, poly-membered ring and oxygen atom.

OGUNI T, TODORIKI H, OSADA T, KOKUNI T, TODOROKI H, NAGATA T

Silicon stone graphene FET has source region and drain region of FET are located on graphene layer in channel area which is formed between source region and drain region.

CHEN Z, KUANG W, LIU X, TANG Z

Preparation of graphene oxide/sulfide composite electrode material by dissolving graphite oxide with deionized water, ultrasonically peeling off, adding dimethylformamide, acid salt and water reducing agent, centrifuging, and drying.

DING G, DU F, JIANG M, XIE X

Vanadium oxide-graphene composite catalyst is obtained by mixing ammonium metavanadate aqueous solution, graphite oxide, anhydrous ethanol and hexadecyltrimethylammonium bromide.

DONG Y, XUE L, FU H, WEI L, JIE L, ZHU Y, SONG W, YUAN F

Preparation of graphene powder involves dry grinding or wet grinding magnesium powder and carbonate powder, drying and performing high-pressure combustion synthesis reaction or normal-pressure combustion synthesis reaction.

FEI W, WANG L

Graphene waveguide has silicon oxide layer that is provided with graphite dilute layer which is provided with Y-shaped graphite dilute inner zone and Y-shaped graphene outer zone.

LU W, ZHU W, XU H