国家/地区 韩国（5）
IPC部 C（3） H（3） B（2）
IPC大类 C01（3） C23（3） H01（3）
B82（2）
IPC小类 C01B（3） C23C（3） B82Y（2）
H01L（2）
IPC C01B031/02（3） C01B031/04（3） C23C016/26（3）
B82Y030/00（2） B82Y040/00（2）
发明人 AHN J（5）
公开年 2012（5）
申请年 2011（4） 
专利权人 GRAPHENE SQU.（3） UNIV SUNGKYU.（3） UNIV SUNGKYU.（3） HANWHA TECHW.（2）
SAMSUNG TECH.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Synthesizing graphene, comprises loading catalyst metals into chamber, increasing sizes of grains of catalyst metals, raising temperature inside the chamber while providing vapor carbon source and forming graphene.

SONG Y, KIM H, HONG B, AHN J, AHN J H, HONG B H, KIM H K, SONG Y I

Flexible/stretchable semiconductor device such as Si FET used in electronic device e.g. LCD, includes a semiconductor layer formed on flexible/stretchable substrate, and graphene electrode formed on semiconductor layer.

AHN J, HONG B H, JANG S, JANG H, LEE W H, HYEON A J, HUI H B, JAE J S, UK J H, HO L W

Elastic-type three dimensional touch sensor for use with e.g. personal digital assistant, has controller supplying voltage to graphene electrode patterns to sense pressure intensity of reduced pressure register.

AHN J, HONG B H, LEE Y B, BAE S K, KIM H K, BAE S, HONG B, KIM H, LI R, AN Z, PEI X, JIN J

Manufacture of graphene used for e.g. graphene sheet, involves reacting reaction gas including carbon source, and heat on substrate.

AHN J, BAE S K, HONG B H, JUNG M H, KIM H R, KIM S J, AHN J H, BAE S

Manufacture of graphene used for forming graphene sheet, involves supplying carbon source-containing gas to metal catalyst layer for graphene growth, and forming graphene by inductively coupled plasma-chemical vapor deposition.

AHN J, BAE S K, HONG B H, JANG H, JUNG M H, KIM S J, LEE Y, YOO J B, AHN J H, LIU Z, BAE S, HONG B, LI R, JUNG M, KIM S