国家/地区 中国（146） 美国（7） 世界知识产权组织（4） 新加坡（2）
IPC部 C（89） H（60） B（32）
G（13） A（4） D（2）
IPC大类 C01（75） H01（59） B82（17）
G01（12） B01（10） C09（6）
C02（5） C08（5） A61（4）
C23（3） B29（2） B32（2）
C22（2）
IPC小类 C01B（73） H01M（39） H01G（22）
B82Y（17） G01N（12） B01J（8）
H01L（6） C02F（5） C08K（5）
C09K（4） A61K（3） C01G（3）
C08L（3） C23C（3） A61P（2）
IPC C01B031/04（65） B82Y040/00（12） B82Y030/00（10）
H01G009/042（10） H01M004/38（9） C01B031/02（8）
H01M004/139（6） H01M004/583（6） H01M004/60（6）
H01M010/0525（6） C08K003/04（5） H01M004/13（5）
H01M004/62（5） H01G009/00（4） H01M004/58（4）
发明人 WANG Y（150）
公开年 2013（150）
申请年 2012（75）  2011（38）  2013（37） 
专利权人 OCEANS KING .（57） OCEAN S KING.（44） SHENZHEN OCE.（42） HAIYANGWANG .（40）
SHENZHEN OCE.（15） SHENZHEN OCE.（13） SHENZHEN OCE.（6） UNIV SOOCHOW（4）
WANG Y（4） UNIV JINAN（3） UNIV SOUTHEA.（3） CHEN G（2）
CHINESE ACAD.（2） CHINESE ACAD.（2） FUJIAN MATER.（2） HARBIN INST .（2）
JANG B Z（2） NANOTEK INST.（2） UNIV JILIN（2） UNIV NANJING.（2）

Preparing graphene/nickel-zinc-cerium-iron oxide nano-absorbing material comprises e.g. dissolving nickel-zinc-cerium-iron oxide powder in N,N-dimethylformamide, dropping graphite oxide-N,N-dimethylformamide, reacting and vacuum drying.

HUANG Y, WANG K, ZHANG W, WANG Y, WU H, SANG Y

Gate structure of gate-controlled semiconductor device e.g. graphene gate control device, has substrate, middle layer and grid structure main portion that are connected with Schottky gate along grid width direction of medium grid.

FANG Y, DUN S, GU G, FENG Z, SONG X, WANG Y, LV Y

Preparation of graphene-like structure carbon material by selecting biomass feedstock as raw material, and adding to microwave to carry out carbonization without pretreatment.

WANG S, WANG Y, SU Z, TIAN H

Graphene composite material for anode material of lithium ion battery, contains specified amount of graphene and dithiooxamide compound.

WANG Y, ZHONG L, ZHOU M

Graphene composite material for use as anode material i.e. utilized in lithium ion battery, comprises graphene and hexaazacyclooctadecane naphthalene-composite structure.

WANG Y, ZHONG L, ZHOU M

Manufacture of graphene involves ultrasonically dispersing graphite oxide in water, filtering, heating graphene oxide under protective gas atmosphere, maintaining at specified temperature, cooling and annealing.

WANG Y, ZHONG H, ZHOU M

Preparation of graphene composite electrode involves sequentially immersing collector in polyethyleneimine aqueous solution, specific polymer aqueous solution and aqueous solution containing graphene and cationic surfactant, and drying.

WANG Y, WU F, ZHOU M

Preparation of graphene composite collector involves adding solvent to graphene oxide, performing ultrasonic dispersion, adding conductive polymer, carrying out polymerization, performing microporous membrane filtration and heating.

WANG Y, WU F, ZHOU M

Manufacture of boron-doped graphene involves cooling graphite oxide, maintaining under protection of argon atmosphere, mixing graphene and boron trioxide, heating mixture at specified condition, cooling and purifying.

WANG Y, ZHONG H, ZHOU M

Preparation of silicon-graphene composite material used for preparing lithium ion battery, involves heating graphite oxide, cooling, heating obtained graphene in atmosphere of protective gas and silicon source gas, and cooling.

WANG Y, ZHONG H, ZHOU M