国家/地区 中国（513）
IPC部 C（513）
IPC大类 C08（157） C09（120） C01（113）
H01（74） B01（60） C02（40）
C04（40） B82（32） C22（26）
B22（24） C07（22） C23（22）
C25（22） G01（19） H05（18）
IPC小类 C08L（125） C08K（122） C01B（106）
C09D（76） C08J（58） H01M（54）
B01J（46） C02F（40） C04B（40）
C08G（34） B82Y（32） C09K（28）
C22C（25） B22F（22） C23C（22）
IPC C08K003/04（108） C09D007/61（43） C08K003/22（34）
C01B032/194（32） C09D007/62（30） C01B032/184（29）
C09D005/08（29） H01M004/62（27） B82Y040/00（23）
C01B032/19（23） B82Y030/00（22） H01M004/36（21）
C08K009/02（20） C08K009/06（20） H01M010/0525（20）
发明人 WANG Y（26） WANG J（24） ZHANG J（24）
LI Y（23） ZHANG Y（21） LI J（20）
ZHANG C（20） ZHANG X（20） LI X（19）
WANG X（19） ZHANG L（18） LI S（17）
LIU X（17） WANG L（17） ZHANG Z（17）
公开年 2023（513）
申请年 2023（513）
专利权人 XIAMEN KNANO.（6） UNIV DALIAN .（5） BEIJING YUJI.（4） GUANGZHOU SP.（4）
HARBIN INST .（4） NINGDE AMPER.（4） QUANZHOU YUJ.（4） UNIV CHINA M.（4）
UNIV QINGDAO.（4） UNIV SICHUAN（4） UNIV SOUTH C.（4） UNIV XIJING（4）
UNIV ZHEJIAN.（4） YANGZHOU POL.（4） CHINA YANGTZ.（3） HANGZHOU VUL.（3）
HUNAN ZHONGX.（3） JIANGSU KAOP.（3） SHANDONG CHA.（3） SHANGHAI TIA.（3）

Method for preparing non-contact limiting domain growth graphene, involves providing inner cavity of CVD furnace with barrier layer, and placing growth substrate below barrier layer, distance interval between barrier layer and growth substrate.

CHEN G, CHEN Q, CAI J

Horizontal annealing furnace cooling device, has movable block whose side is connected with output end of cylinder, where inner top end of reserved groove is symmetrically provided with radiating fan.

WANG H

Preparing graphene-coated electronic compound comprises mixing calcium source and aluminum source compound, placing mixture into an organic solvent, stirring, placing transparent solution into high-pressure reaction vessel, and heating at a high temperature.

QING T, KHAN K, LI N, YIN J, QING D

Low-temperature preparation of alpha-phase aluminum oxide powder for e.g. refractory flame-retardant material, involves using calcining additive chosen from carbon black, graphene, carbon nanotube and gas-phase growth carbon fiber.

LI T, YAN Z, CAO W

Microwave plasma chemical vapor deposition device, has metal cavity wall arranged around periphery of reaction cavity, where metal cavity wall is configured for shrinking or expanding around reaction cavity.

XU G, LIU F, WU H, AN K

Method for preparing terahertz material used for reducing nitrogen oxide and volatile organic discharge, by mixing silicon dioxide, ferric oxide and calcium tungstate, melting, cooling, pressing, sintering, placing terahertz material in terahertz radiation environment for radiation intensification.

XU S, GU Y, WANG Z

Purification of ammonium metavanadate for preparing vanadium pentoxide, involves dripping prepared modified magnesium chloride graphene dispersion reducing agent into ammonium metavanadate graphene solution, reacting, adding ammonium metavanadate crystal, and drying.

ZHANG C

Nanometer iron(II,III) oxide-graphene airgel complex wave-absorbing material, useful for stealth material and electromagnetic shielding material comprises nano-iron(II, III) oxide, and graphene airgel.

ZHAO D, QI Y, HE J, XU L, GUO S, HE Z, AN J

Method of microwave-assisted preparation of high thermal conductivity, reducing and oxidizing graphene gel used in phase change energy storage material, involves placing reduced graphene oxide aerogel in vacuum device for vacuum processing, and charging gas with nanometre conductive graphite.

LI Y, ZHU Y, YANG C, YANG B, HUANG J

Medium-strength and high heat-conducting titanium-based composite material, comprises reinforcing body and pure titanium substrate.

JIANG P, ZHANG W, ZHAO Y, LI L, XU Y