国家/地区 中国（112）
IPC部 C（112）
IPC大类 C01（112） H01（108） B82（28）
C23（9） B32（8） C09（8）
B01（7） H05（6） C08（5）
C25（4） B05（3） C03（2）
C04（2） C07（2） C30（2）
IPC小类 C01B（112）
IPC C01B031/04（93） C01B031/02（40） B82Y030/00（20）
B82Y040/00（18） H01B013/00（13） H01B001/04（12）
H01G009/042（12） H01G011/32（12） H01G011/36（11）
H01M004/36（10） C01B032/182（8） C01B032/184（8）
H01G011/86（8） H01M004/133（8） H01M004/583（8）
发明人 WANG Y（28） ZHOU M（22） ZHONG H（11）
LI X（10） LIU D（9） YUAN X（7）
ZHONG L（6） LIU Y（5） LI Y（4）
LIU Z（4） LI H（3） WANG H（3）
WANG M（3） WU F（3） ZHANG J（3）
公开年 2014（112）
申请年 2013（44）  2014（38）  2012（30） 
专利权人 OCEANS KING .（22） SHENZHEN OCE.（21） SHENZHEN OCE.（20） SHANDONG OUB.（4）
SHANGHAI INS.（4） YANCHENG NAX.（4） MAX PLANCK G.（3） BASF CHINA C.（2）
BASF SE（2） CHINA FIRST .（2） HANWHA AEROS.（2） HANWHA TECHW.（2）
JANG B Z（2） KAGAWA S（2） LG ELECTRONI.（2） LIN Y（2）
NANJING XINY.（2） NANOTEK INST.（2） NAT CENT NAN.（2） SAMSUNG ELEC.（2）

Preparing composite thin film material comprises dispersing graphene oxide powder in solvent, mixing manganese salt powder and potassium permanganate aqueous solution into the graphene oxide dispersion liquid, then drying.

CHEN Y, LU F, LI X, XU J, YANG Y, YANG W, ZHAO Y, XIA M

Preparation of three-dimensional boron-doped graphene for e.g. cathode material of supercapacitor involves using supercritical carbon dioxide under the action of fluid medium, and borane-based compound as reducing agent and boron source.

CHENG X, YANG J, ZHOU Y

Material useful in electric device, comprises reduced graphene oxide, where degree of reduction of graphene oxide exhibits spatial variation so that material exhibits gradient in electric conductivity and/or permittivity.

LOGAKIS E, SKORDOS A, CHATZI P

Preparing graphene based porous film for use in electrochemical sensors and for water treatment involves ultrasonically mixing graphene and water to obtain graphene dispersion liquid.

GAO C, HUANG T, LIU Z, SUN H, XIA Z

Preparing inorganic composite film by mixing graphene and inorganic nano-particle with solvent, then ultrasonic dispersion and extruding graphene/inorganic nanoparticles mixed dispersion and solidifying shaped die with coagulation liquid.

GAO C, LIU Z, PENG L, XIA Z

Partially reduced graphene oxide composite material used for supercapacitor electrode material comprises partially reduced graphene oxide having string-shaped carbon black on surface.

KANG F, SU F, YANG Q, LI Y, LI B

Manufacture of graphene as base material for electronic circuits, carbon-based electronic device and electromagnetic device, involves forming metal layer on thermal expansion compensation substrate, and forming graphene on metal layer.

CHOI M, KIM T, MOON J, JUNG M, KIM T H

Manufacture of graphene flash memory involves patterning conductive layer formed on semiconductor substrate, forming source/drain electrodes, dielectric layers, graphene layer and gate electrode, and etching dielectric layers.

WANG H, JIANG M, LI L, XIE X, WU T, CHEN J, LU G, XIE H, ZHANG X

Preparing graphene compound used in a super capacitor by mixing high molecular polymer, graphite oxide and activating agent to obtain mixture and then heating in furnace and melting, and mixing prepared precursor with a diluted acid.

WANG K, MA Y, ZHANG H, SUN X, ZHANG X

Method for preparing e.g. graphene, involves prereducing graphite oxide, setting prereduced graphite oxide on substrate, and laser-reducing substrate having graphite oxide set to form graphene.

HAO L, MA H, LANG J