国家/地区 台湾（97）
IPC部 C（70） B（67） H（52）
G（10） A（3） D（2）
IPC大类 C01（63） B82（60） H01（50）
B32（20） C23（17） B05（11）
C08（10） C25（8） H05（7）
B01（6） C07（6） C22（6）
C30（6） B21（5） C09（5）
IPC小类 C01B（63） B82Y（57） H01M（23）
H01L（22） B32B（20） C23C（13）
B05D（11） H01B（8） B82B（7）
C07C（6） C22C（6） C30B（6）
H05K（6） B21B（5） C08G（5）
IPC C01B031/04（57） B82Y030/00（36） B82Y040/00（33）
C01B031/02（31） B82Y099/00（11） H01M004/62（11）
H01M010/0525（11） H01M004/583（10） H01M004/66（10）
H01M004/133（9） C01B032/20（8） H01L033/00（8）
H01M004/04（8） H01M004/13（8） H01L033/02（7）
发明人 FAN S（22） JIANG K（10） WEI Y（10）
SUNG C（8） HE X（7） LI J（7）
LIN X（7） SONG J（7） WANG L（7）
GUO J（6） LIN C（6） LIN H（6）
LIN I（6） LIN Y（6） NOMOTO K（6）
公开年 2013（61） 2014（21） 2012（14）
申请年 2012（97）
专利权人 HON HAI PREC.（30） HONGFUJIN PR.（30） UNIV TSINGHU.（30） FAN S（8）
SEMICONDUCTO.（8） RITEDIA CORP（7） LAIZUAN CO L.（6） CHUNG SHAN I.（5）
JX NIPPON MI.（5） NIPPON MININ.（5） NIPPON MININ.（5） WANG J（5）
BASF AG（4） BASF SE（4） IND TECHNOLO.（4） SUNG C（4）
UNIV NAT TSI.（4） BASF CHINA C.（3） GAO J（3） HE X（3）

Circulating system for manufacturing graphene sheets which manufactures in high speed and in large quantities of graphene sheets having larger size and more perfect hexagonal planar structure.

SUNG C, LIN I, LIN H, SUNGCHIENMIN, LINICHIAO, LINHUNGCHENG

Substrate structure, has flexible substrate with release layer between carrier and flexible substrate, and release layer with graphene, reduced graphene oxide or combination.

CHEN K, LIU S, HUANG C, LI C, CHEN K T, LIU S H, HUANG C J, LI C H

Structure and method for a graphene-based apparatus comprises acts of forming a graphene layer on a metal layer; forming a protective layer on the graphene layer.

HAN S, CAO Q

Tunable graphene-like crystal element having wider band gaps includes multiple main lattices in rectangular array formed by piezoelectric material.

HUANG Z, SU C, HUANG Z G, SU C F

Method for forming graphene liner and capping layer on conductive line/via of e.g. application specific integrated circuit device, involves performing chemical mechanical polishing process to remove excess amounts of copper-based material.

RYAN E T, KRIVOKAPIC Z, ZHANG X, WITT C, HE M, ZHAO L, WURTH C

Graphene-based composite structure, useful as topological insulator in thin film transistor, comprises graphene layer, transition metal layer and substrate, where graphene layer and transition layer are coupled by orbitals hybridization.

DUAN W, LI Y, CHEN P, WU J, GU B

Making current collector which is used to make electrochemical battery's electrode comprises forming graphite/graphene layer on current collecting metal substrate surface by rubbing with solid graphite source e.g. aggregated graphite powder.

HE X, LI J, WANG L, GAO J

Manufacture of graphene involves providing carbon source to molten solvent contained in reactor, precipitating carbon atoms of carbon source in supersaturated state of solvent surface and collecting graphene layer at discharge opening.

LIN H, LIN Y, SONG J, SUNG C, LIN I

Graphite reinforced composite material for e.g. thermal grease and conductive glue comprises single or multiple graphene layer formed from highly graphitized graphene dispersion and substrate where graphene layer is uniformly dispersed.

LIN Y, SONG J, SUNG C, LIN I

Hybrid material, useful as a fluorescence marker, an attacking drug in photodynamic therapy to treat cancer, imaging agent and a drug delivery system, comprises hydroxyl-terminated poly(amidoamine) dendrimer, folic acid and graphene oxide.

IMAE T, SIRIVIRIYANUN A