国家/地区 台湾（28）
IPC部 C（28）
IPC大类 C01（28） H01（22） B82（15）
C07（7） B01（4） B32（3）
C08（3） C09（3） C22（3）
C23（3） C25（2） C30（2）
H05（2）
IPC小类 C01B（28）
IPC C01B031/02（28）
发明人 MUELLEN K（5） FENG X（4） MILLEN K（4）
MULLEN K（4） CAI J（3） FASEL R（3）
RUFFIEUX P（3） TSAI J（3） WU Z（3）
CHIBA Y（2） CHIBA YOSHIHIRO（2） HINTERMANN T（2）
KAWABATA A（2） KUBOTA Y（2） LIU G（2）
公开年 2014（17） 2013（9） 2015（2）
申请年 2013（28）
专利权人 BASF CHINA C.（6） BASF SE（6） MAX PLANCK G.（6） DOKURITSU GY.（4）
NAT INST ADV.（4） BASF SCHWEIZ.（2） EMPA EIDGENO.（2） EMPA MATERIA.（2）
FUJITSU LTD（2） JX NIPPON MI.（2） NIPPON MININ.（2） TORAY ADVANC.（2）
TORAY IND IN.（2）

Use of amine precursor or its ammonium salt for depositing graphene film on substrate by chemical vapor deposition (CVD).

SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, ITO Y, SCHWAB M G S, MILLEN K

Manufacture of functionalized graphene used for e.g. barrier material, involves forming mixture using graphite oxide, solvent and functionalized compound containing sulfur and amino group, reacting, and recovering resultant graphene.

LEE J S, DO SEUNG H, JEON S Y, HAN G W, KONG J H, DO S H, LEE J, DO S, JEON S, HAN G, KONG J

Semiconductor structure for semiconductor device comprises graphene material and graphene-lattice matching material over at least a portion of graphene material.

MEADE R E, PANDEY S C

Graphene film used in an electrode is obtainable by epitaxially growing metal layer on surface of substrate, peeling off the metal layer, and depositing graphene onto surface of metal layer.

WODTKE A, YU H K, ALEC W, HAK KI Y, YU H, YUK H K, YUK H

Synthesizing graphene nanoribbon used in e.g. field effect transistor or bipolar junction transistor, comprises polycyclization of linearly conjugated aryl compounds to provide graphene nanoribbon precursor.

KLEIN J P

Ultrasonic spray coating for producing optically transparent/electrically conductive film involves forming aerosol droplets of graphene material in second liquid, depositing aerosol droplets onto supporting substrate, and removing liquid.

LIN Y, ZHAMU A, JANG B Z, LEE S, LIN J C, LEE S Y, LIN J, JANG B B, LIN Y J, LEE S Y, LIN R, LI X

Edge-halogenation of graphene material used for electronic/optical/optoelectronic device involves reacting graphene material e.g. graphene, graphene nanoribbon, and/or graphene molecule with halogen-donor compound in presence of Lewis acid.

HINTERMANN T, MUELLEN K, FENG X, TAN Y, MULLEN K, TAN Y Z

Precursor composite, useful in electrode material for alkali ion battery, comprises graphene oxide with a specified value of carbon and oxygen ratio, and electrochemically active material including tetravalent vanadium oxohydroxide.

METTAN Y, MYTAN Y

Graphene sheet composition used for negative electrode active material for lithium battery, and conductive support agent for electrode for battery, comprises graphene component, and is formed by treating graphite in supercritical fluid.

IKENOUE Y, KUROZUMI T, HONMA I, TOMAI T

New oligophenylene monomer useful in polymeric precursor for preparing graphene nanoribbons that used are in thin film semiconductor of electronic, optical, or optoelectronic device e.g. organic field effect transistor device.

MUELLEN K, FENG X, CAI J, RUFFIEUX P, FASEL R, NARITA A, TSAI J, MULLEN K, MILLEN K