国家/地区 美国（99）
IPC部 H（66） C（56） B（35）
G（29） A（5） F（2）
IPC大类 H01（61） C01（36） B82（20）
G01（20） C23（17） B01（9）
B32（6） C08（6） C09（6）
C12（6） C25（6） C07（5）
G02（5） A61（4） G06（4）
IPC小类 C01B（35） H01M（25） H01L（20）
B82Y（19） H01G（19） C23C（16）
G01N（16） B01J（6） B32B（6）
C09D（6） H01B（5） C01G（4）
C08G（4） C08K（4） C25B（4）
IPC H01G011/36（16） H01G011/86（15） H01M004/36（14）
H01M004/62（14） C01B031/04（13） B82Y030/00（12）
B82Y040/00（11） C01B032/194（10） C23C016/26（10）
H01M004/04（10） H01M010/0525（10） C01B031/02（9）
H01G011/24（9） H01G011/32（9） H01M004/133（9）
发明人 KANER R B（14） DUAN X（12） ELKADY M F（8）
HUANG Y（8） ZETTL A K（8） BALANDIN A A（7）
LIPOMI D J（6） ZARETSKI A（6） OZKAN C S（5）
OZKAN M（5） ZHANG Y（5） CAIRNS E J（4）
GUO S（4） KOWAL M（4） MERCOLA M（4）
公开年 2021（20） 2015（10） 2016（10） 2018（9） 2022（9） 2014（8） 2017（7） 2023（7） 2011（4） 2012（4） 2009（3） 2013（3） 2010（2） 2020（2）
申请年 2020（17）  2021（11）  2022（10）  2015（9）  2016（9）  2013（8）  2014（8）  2017（7）  2012（5）  2009（4）  2011（4）  2018（4）  2010（2） 
专利权人 UNIV CALIFORNIA（99）

Method for performing neural activity imaging, involves obtaining multiple electrical signals from array of electrodes implanted on multiple cortical local regions of brain, and reconstructing cortex-wide brain activity with pixel-level spatial resolution.

REN C, KOMIYAMA T, LIU X, KUZUM D

Hybrid transistor and memory cell for helping mimic the workings of human brain with significant gains in computational energy-efficiency, comprises dual function gate dielectric and switching material upon thin conductive material and two-dimensional semiconductor material.

PAL A, CAO W, YEH C, BANERJEE K

Device used in phototransistors, spin-transistors-spincurrent filters, photodetection, and solar cells comprises semiconductor, where semiconductor exhibits surface photovoltage effect, two-dimensional material arranged over surface of semiconductor, and drain electrode.

LANZARA A, CIOCYS S

Precision graphene nanoribbon bridge molecule in graphene nanoribbon molecular electronics nano-circuit, comprises central GNR having precision structure, functional anchoring group, central functional conjugation group at specified location and edge group functionalization with solubilizing groups.

MCCURDY R, FISCHER F

Composite electrode material for use in supercapacitor, comprises open-shell donor-acceptor polymer comprising multiple alternating electron-rich and electron-deficient monomers bonded together via conjugated backbone, and reduced graphene oxide.

AZOULAY J, YAO L, NG T N

Ferromagnetic material for heterostructure and spintronic devices, comprises Dirac half metal material, where ferromagnetic material is ultrathin, comprises one monolayer, Dirac half metal material comprises massless Dirac electrons and material comprises manganese trihalide.

SUN Q, KIOUSSIS N

Apparatus for storage of magnetic flux at cryogenic temperatures for superconducting devices, has variable inductor for storing magnetic flux in situ within cryogenic system configured for persistent magnetic operation mode, and superconducting magnetic circuit provided in series with inductor.

BROUWER L

Cathode e.g. double-layered cathode for battery e.g. aqueous rechargeable zinc-iodine battery, includes first layer formed from first conductive material, and second layer adsorbs triiodide ion, where triiodide ion is reduced at interface between first layer and second layer.

LIN D, LI Y

Semiconductor structure for use in metal-insulator-metal capacitor, comprises nanofog oxide adhered to inert two-dimensional or three-dimensional surface, or weakly reactive metal surface, and oxide layer on nanofog oxide, where nanofog oxide comprises essentially aluminum oxide nanoparticles.

KUMMEL A, SARDASHTI K, KWAK I

Electromagnetic interface (EMI) shielding material comprises polymer matrix and van der Waals material is embedded in polymer matrix, forming quasi-one-dimensional atomic threads, where van der Waals material is trichalcogenide compound.

KARGAR F, BALANDIN A A