国家/地区 美国（81）
IPC部 H（69） C（30） B（26）
G（14） A（3） D（3）
IPC大类 H01（69） C01（23） B82（17）
B01（6） C23（6） C09（5）
G01（5） C08（4） G03（4）
A61（3） C25（3） D01（3）
H05（3） B32（2） C07（2）
IPC小类 H01L（49） C01B（23） B82Y（16）
H01M（15） C23C（6） C09D（5）
H01B（5） H01G（5） B01J（4）
C08K（4） G03F（4） H01J（4）
C08L（3） C25D（3） D01F（3）
IPC H01L029/16（27） H01L029/78（17） C01B031/04（15）
H01L029/66（14） H01L029/06（12） H01L029/786（12）
H01L021/336（11） H01L023/532（9） B82Y030/00（8）
H01L021/02（8） H01L029/778（8） H01M004/62（8）
H01M010/052（8） H01M010/0525（8） H01L021/768（7）
发明人 PARK S（81）
公开年 2014（12） 2016（12） 2017（12） 2015（11） 2021（8） 2013（6） 2018（6） 2020（5） 2023（5） 2022（2）
申请年 2015（14）  2016（13）  2013（10）  2014（10）  2017（8）  2020（8）  2022（5）  2012（4）  2021（4）  2019（3） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（52） PARK S（8） UNIV SEOUL N.（6） LG CHEM LTD（5）
SNU R DB FO.（5） BYUN K（4） HEO J（4） LEE J（4）
SEO D（4） SONG H（4） CHUNG H（3） KOREA INST E.（3）
KUMOH NAT IN.（3） LG CHEM CO L.（3） SHIN H（3） AICT（2）
DONG JIN SEM.（2） ILJIN MATERI.（2） KUMOH NAT IN.（2） LG ELECTRONI.（2）

Composite active material for forming anode, comprises core comprising silicon-containing structure and/or silicon-containing compound, and shell comprising carbonaceous material, and at least one metal oxide arranged in matrix of carbonaceous material, arranged on and conformed to surface of core.

SHIM K, MAH S, SON I, JO S, KIM G, PARK J, KAPYLOU A, LEE J, EUN S K, MAH S K, JO S N, KIM G S, WAN L J, SHIM K E, MA X G, SON I H, KIM K S, PARK J H, LEE J W, LI J, PARK S, JIN G, ZHAO S, MA X

Varifocal lens for dividing lens layer into multiple areas and applying different voltage to change focal length, comprises transparent substrate having plate shape, first lens layer stacked on first area, second lens layer stacked on second area, and formed on one surface of substrate.

LI C, HWANG Y, PARK S, JUN S, JUN S C, PARK S W, CHUNGYI L

Preparing reduced acylated graphene oxide used in electrode active material of lithium secondary battery, involves subjecting graphene oxide to acylation reaction to prepare acylated graphene oxide, and reducing the acylated graphene oxide.

KIM D H, PARK S, YEON S, SHIN K, JIN C, HWANG S H, SEUNGHAE H, JIN C S, HEE S K

Nonvolatile memory device for neuromorphic apparatus, has gate insulating layer extending in first direction between channel layer and gate electrodes, where each of gate electrodes includes metal-doped graphene.

SHIN K, KIM C, PARK S, KIM H, BYUN K, YUN D, LEE C, LI C, YIN T, PIAO S, JIN C, SHIN K W, PARK S H, KIMHYUNWOO, BYUN K E, JIN Y D, LEE C S

Separator coating layer for lithium metal battery, comprises fluorinated graphene oxide material.

PARK S J, SONG G J, BANG Y M, PARK S, SONG K, BANG Y

UV emitting optical device, has substrate sequentially stacked with first encapsulation layer, active layer and second encapsulation layer, and multiple color centers that are provided in active layer, where color center is configured to emit light in UV wavelength range.

PARK S, KIM Y, KIM Y D

Semiconductor device has semiconductor structures with patterns, second conductive pattern that extends in second direction on gate insulation pattern, and second impurity region that is mounted on each of second semiconductor patterns.

HONG J, LEE K, PARK S, KIM I, KIM Y, KIM H, LI J, KIM I K, JIN R, KIM H C, PARK S H, LEE K H

Layer structure for use in electronic device e.g. memory device, has insulating layer for covering outside surface of diffusion barrier and conductive material layer, where edge of barrier layer is aligned with edge of material layer.

LEE J, SHIN H, PARK S, CHO Y, NAM S, SONG H

Pellicle for use in a reticle for protecting a photomask, comprises a metal catalyst layer mounted on a substrate, a barrier layer is mounted between the substrate and the metal catalyst layer, and a pellicle membrane is provided on the metal catalyst layer.

PARK S, JEONG S, SHIN H, LEE M

Coating composition used to form stacked structure, and manufacture display device comprises graphene oxide, and solvent.

SHIN H K, SEO D K, SIM J H, CHO W J, KANG B H, MOON S J, PARK S C, SEO H W, CHO J E, SHIN K S, SHIN H, SUH D, SHIM J H, KANGBYOUNGHUN, WON S H, EUN J J, SOON S, SHEN X, XU D, SHEN J, CAO Y, JIANG B, WEN S, PARK S, SEO H, CHO J, SHIN G