国家/地区 美国（47）
IPC部 B（47）
IPC大类 C23（47）
IPC小类 C23C（45） C01B（41） B82Y（40）
B32B（26） H01B（15） H01L（15）
B01J（10） B05D（9） B82B（9）
C30B（7） C23F（6） C03C（5）
H01M（4） B29C（3） B44C（3）
IPC B82Y040/00（33） C01B031/02（33） C23C016/26（30）
B82Y030/00（29） C01B031/04（27） H01B001/04（12）
B32B009/00（9） B82B003/00（9） B32B009/04（7）
C01B032/186（7） C23C016/56（6） B01J019/12（4）
B32B038/10（4） C03C025/68（4） C23C016/02（4）
发明人 FAN F Y（5） FAN S（5） JIANG K（5）
LIN X（5） XIAO L（5） HONG B H（4）
LIN X Y（4） AHN J（3） CHOI J（3）
DING G（3） HONG B（3） KIM H（3）
LEE S（3） XIE X（3） AHN J H（2）
公开年 2012（47）
申请年 2011（25）  2012（21） 
专利权人 HANWHA TECHW.（6） SAMSUNG TECH.（6） HON HAI PREC.（5） HONGFUJIN PR.（5）
UNIV TSINGHU.（5） SAMSUNG ELEC.（4） UNIV SUNGKYU.（4） CHINESE ACAD.（3）
SHANGHAI INS.（3） UNIV SUNGKYU.（3） UNIV SUNGKYU.（3） DING G（2）
EMPIRE TECHN.（2） GRAPHENE SQU.（2） HANWHA AEROS.（2） JX NIPPON MI.（2）
KOREA ADV IN.（2） NIPPON MININ.（2） NIPPON MININ.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Method for non-destructively transferring graphene, involves nondestructively combining graphene coated with media with target substrate, and removing media to transfer graphene to target substrate nondestructively.

REN W, GAO L, MA L, CHENG H

Method of disposing graphene thin film over target receiving substrate involves hetero-epitaxially growing graphene thin film on catalyst thin film containing a metal and disposing graphene thin film and catalyst thin film.

VEERASAMY V S

Copper foil for manufacturing graphene, has specified sum total of oxides and sulfides having diameter of below preset value before heating under hydrogen and argon-containing atmosphere.

CHIBA Y, YAMAJI T, YOSHIHIRO C, TATSUYA Y, CHIBA G

Making graphene/carbon nanotube composite structure, comprises growing graphene film on surface of metal substrate by chemical vapor deposition method, cooling metal substrate, and providing carbon nanotube film structure on graphene film.

JIANG K, LIN X, XIAO L, FAN S, LIN X Y, FAN F Y

Making a graphene or carbon nanotube composite structure, comprises e.g. growing graphene film on first surface of metal substrate by chemical vapor deposition method, and combining carbon nanotube film structure with graphene film.

JIANG K, LIN X, XIAO L, FAN S, LIN X Y, FAN F Y

Making a graphene composite structure used as electrode involves growing a graphene film on the first surface of the metal substrate by a chemical vapor deposition method; and etching the metal substrate from the second surface.

JIANG K, LIN X, XIAO L, FAN S, LIN X Y, FAN F Y

Making thermoacoustic element involves arranging graphene film on metal substrate/forming laminate structure by stacking nonmetal substrate on substrate/removing substrate from laminate structure/forming through-holes in nonmetal substrate.

JIANG K, LIN X, XIAO L, FAN S, IM H Y, FAN F Y

Method for forming graphene pattern using exfoliation technique, involves selectively peeling graphene layer by polymer stamp, and forming raised pattern on rotator polymer stamp, where polymer stamp is made of polydimethylsiloxane.

AN K, CHUNG T, JUNG D, KIM C G, KIM H S, LEE S S, LEE Y K, AN K S, CHUNG T M, LEE S, LI Y, KIM C, KIM H

Making crystalline graphene, used e.g. in electronic device, comprises e.g. performing first thermal treatment by supplying heat to inorganic substrate, and introducing vapor carbon supply source into reactor during first thermal treatment.

SHIN H, CHOI J, WOO Y, YOON S, SHIN H J, CHOI J Y, WOO Y S, YOON S M