国家/地区 世界知识产权组织（197）
IPC部 C（131） B（128） H（121）
G（28） D（6） F（6）
A（4） E（2）
IPC大类 H01（117） C01（115） B82（102）
B32（33） C23（30） B01（19）
B05（18） C08（17） C09（17）
G01（16） C07（10） C25（8）
C30（8） G02（6） D01（5）
IPC小类 C01B（114） B82Y（97） H01L（80）
H01B（40） B32B（33） H01M（31）
C23C（27） B82B（22） H01G（21）
B01J（19） B05D（18） C08K（15）
C09D（11） C08L（10） G01N（10）
IPC C01B031/04（87） C01B031/02（81） B82Y030/00（71）
B82Y040/00（66） H01B001/04（27） H01L029/16（26）
C23C016/26（20） B82B003/00（18） C01B031/00（16）
H01L021/02（16） H01L021/336（15） H01L029/786（15）
B32B009/00（14） H01L029/06（14） H01L029/66（13）
发明人 HONG B H（9） BAE S K（8） AHN J（7）
KIM H K（7） QU Y（6） BAE S（5）
TOUR J M（5） AFZALIARDAKANI A（4） HUI H B（4）
KIM H（4） AHN J H（3） AN S J（3）
CHOI J（3） CHOI M C（3） FENG X（3）
公开年 2012（107） 2011（56） 2013（34）
申请年 2011（197）
专利权人 INT BUSINESS.（10） GRAPHENE SQU.（7） UNIV SUNGKYU.（7） NOKIA CORP（6）
WUXI DILIUYU.（6） WUXI SIXTH E.（6） CENT NAT REC.（5） EMPIRE TECHN.（5）
HANWHA TECHW.（5） KOREA ADV IN.（5） SAMSUNG TECH.（5） UNIV RICE WI.（5）
UNIV SINGAPO.（5） UNIV SUNGKYU.（5） CNRS CENT NA.（4） NOKIA TECHNO.（4）
BATTELLE MEM.（3） CLEAN ENERGY.（3） KOREA ADVANC.（3） MAX PLANCK G.（3）

Coproducing carbon nanotube and graphene used in polymer matrix, by decomposition at high temperature of carbon source in gas state, comprises contacting carbon source with catalyst comprising mixture of active catalyst-A and catalyst-B.

BEAUSOLEIL J, SERP P, BACSA R, CAUSSAT B

Manufacture of graphene on polycrystalline silicon carbide used as bearing element in mechanical engineering, involves polishing silicon carbide components, cleaning, and graphitizing polished surface by annealing.

BENNEWITZ R, ASLAN M, WAEHLISCH C F

Apparatus e.g. graphene-based metal-insulator-metal diode for use in e.g. rectenna of personal digital assistant, has layers of electrically conductive material separated by layer of optically transparent electrically insulating material.

COLLI A, AWAN S A, LOMBARDO A, ECHTERMEYER T J, KULMALA T S, FERRARI A C, AWAN S, KULMALA T, FERRARI A, ECHTERMEYER T

Producing graphene comprises contacting solid catalyst in divided state comprising mixed oxide with gaseous composition flow comprising carbon source, where solid catalyst has single crystal structure and average crystalline domain size.

BACSA R, SERP P

Preparing graphene i.e. free of metal contamination and magnetic and organic impurities, used to make battery, comprises reacting graphene oxide dispersion in a solvent, with tin compound and optionally with acid compound, and acid washing.

DUBOIS L, GAMBARELLI S, NANJUNDAN A

Manufacturing method for semiconductor structure, e.g. graphene FET involves forming graphene FET on seed material, and removing seed material.

ADKISSON J W, DUNBAR T J, GAMBINO J P, LEITCH M J, LEACH M, LEACH M J

Nanodevice for generating electromagnetic radiation in terahertz frequency range, has graphene layer which is arranged on substrate and provided with two longitudinal ends electrically connected with source contact and drain contact.

MIKHAILOV S

Isocyanate group-modified carbon material contains diisocyanate compound in which isocyanate group couples with graphene-type carbon material.

WADA T, TSUBOKAWA N, TAKUYA W

Producing graphene nanomesh based charge sensor, by generating holes in graphene to create graphene nanomesh, passivating edge of each hole of mesh, functionalizing passivated edge of each of holes of nanomesh with chemical compound.

AFZALIARDAKANI A, HAN S, KASRY A, MAAROUF A, MARTYNA G J, NISTOR R, TSAI H

Formation of patterned graphene layer on substrate used for low-noise amplifier, involves forming patterned structure(s) of carbide-forming metal or metal-containing alloy on substrate, applying layer of graphene and heating.

AFZALIARDAKANI A, MAAROUF A, MARTYNA G J, SAENGER K, AFZALIARDAKANI A C O I