国家/地区 韩国（98） 美国（94） 日本（64） 世界知识产权组织（63） 中国（55） 欧洲专利局（EPO）（25） 台湾（17） 德国（7） 新加坡（6） 法国（3） 印度（3） 巴西（2） 加拿大（2） 英国（2） 香港（2）
IPC部 C（179）
IPC大类 C01（179） H01（174） B82（91）
C23（40） B32（38） B01（25）
B05（17） C09（13） C07（8）
C08（8） H05（7） G01（6）
C03（5） C25（5） C30（5）
IPC小类 C01B（179）
IPC C01B031/02（142） C01B031/04（77） B82Y030/00（74）
B82Y040/00（74） H01B001/04（66） C23C016/26（26）
H01B013/00（23） C01B031/00（18） H01L021/02（17）
B32B009/00（16） H01L029/16（16） B82B003/00（15）
H01B005/14（15） H01L029/786（15） H01L021/336（13）
发明人 HONG B H（7） CHOI J Y（6） JIANG K（6）
KIM K B（6） LIN X（6） AHN J（5）
FAN F Y（5） FAN S（5） SHIN H J（5）
XIAO L（5） AHN J H（4） CHOI J（4）
HONG B（4） HWANG S W（4） KIM H K（4）
公开年 2012（86） 2013（61） 2011（32）
申请年 2011（179）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（13） KOREA ADV IN.（9） UNIV SUNGKYU.（9） UNIV YONSEI .（7）
HON HAI PREC.（6） HONGFUJIN PR.（6） SAMSUNG TECH.（6） UNIV TSINGHU.（6）
GRAPHENE SQU.（4） HANWHA TECHW.（4） INT BUSINESS.（4） KOREA ADVANC.（4）
KOREA INST S.（4） SONY CORP（4） UNIST ACADIN.（4） UNIV SUNGKYU.（4）
UNIV SUNGKYU.（4） BASF SE（3） EMPIRE TECHN.（3） FUJITSU LTD（3）

Manufacture of nanowire for optical element, involves forming metal microparticles on graphene, and forming nanowire of specific group compound by organometallic vapor phase epitaxy.

TATENO K, SASAKI S, HIBINO H, ZHANG G Q, SHO K

Manufacturing graphene film, comprises preparing graphite catalytic layer pattern including base unit and protrusion part partly protruded from one side of base unit, and supplying carbon-based material to graphite catalytic layer pattern.

LEE H, HYEON S J, SEUNG K J, JONG C H, YEON C J, HEON L, JU H S, JIN S K, HAK J C, JOONG Y C

Formation of patterned graphene layer on substrate used for low-noise amplifier, involves forming patterned structure(s) of carbide-forming metal or metal-containing alloy on substrate, applying layer of graphene and heating.

AFZALIARDAKANI A, MAAROUF A, MARTYNA G J, SAENGER K, AFZALIARDAKANI A C O I

Manufacture of semiconductor element used for electronic device, involves forming opening portion which reaches back surface of catalyst layer formed on substrate, forming graphene on back surface and removing portion of catalyst layer.

KOJIMA E, FURUICHI T

Making graphene nano-sheets, by placing expandable graphite within chamber, applying vacuum to the chamber, and applying electric current to induction heat expandable graphite within chamber under vacuum to form expanded graphite.

WU Y, GARDNER S J, YU Y

Transferring graphene, comprises forming graphene on substrate of metal film, forming polymer transfer layer on graphene and then laminating to form first laminate, and removing laminate and then heat treating to form second laminate.

JAEKYU J, SEUNGMIN J, YOUNGKEUN L, HONG Y

Graphene dispersion used for forming graphene film, comprises reduced graphene oxide dispersed in organic solvent chosen from dimethylformamide, dimethylsulfoxide and acetonitrile.

KIM D P, PARK C P

Manufacture of graphene nano-mesh for forming electric component, involves forming graphene layer and filtering membrane having multiple air gaps, and then removing graphene layer by vacuum filtering.

KO G W, SIM S H, HWANG S W, SONE C S

Manufacture of graphene nano ribbon for secondary conductive semiconductor layer electric component, involves arranging multiple nanospheres to predetermined pattern, obtaining nanosphere mold, contacting and preparing graphene layer.

KO G W, SIM S H, HWANG S W, SONE C S

Manufacturing graphene nano ribbon used in electric component, comprises forming grooves and protrusion part by etching mesa on top surface of substrate, forming thin film layer on grooves, and performing reactive ion etching of film layer.

KO G W, SIM S H, HWANG S W, SONE C S