国家/地区 日本（334）
IPC部 H（198） C（191） B（105）
G（57） A（29） F（15）
D（12） E（2）
IPC大类 H01（184） C01（106） C08（54）
G01（45） B01（40） C09（40）
B82（27） B32（24） H05（22）
A61（17） C23（17） C12（14）
B29（12） C25（12） C07（9）
IPC小类 C01B（102） H01M（90） H01L（60）
C08K（44） C08L（44） G01N（35）
B82Y（27） B32B（24） H01B（21）
H01G（21） B01D（19） B01J（19）
C09D（18） C23C（17） C09K（16）
IPC H01M004/62（64） H01M004/36（50） H01M010/052（45）
H01M004/38（36） C08K003/04（35） C01B032/194（32）
H01M004/02（30） H01M010/0525（29） H01M004/13（26）
H01M004/58（25） B82Y040/00（23） H01M004/587（21）
C01B032/182（20） H01M004/583（20） H01M004/133（19）
发明人 YAMAZAKI S（17） IWAKI Y（9） KURIKI K（8）
SUGIZAKI Y（8） HAYASHI K（7） SOHN K（7）
SUN Q（7） KATO T（6） JIN R（5）
KONDO O（5） KUBO T（5） LEE J（5）
TAMAKI E（5） YONEDA Y（5） EMPARUZIA V（4）
公开年 2021（152） 2022（145） 2023（37）
申请年 2021（334）
专利权人 FUJITSU LTD（19） SEMICONDUCTO.（18） LG ENERGY SO.（13） TORAY IND IN.（12）
TOSHIBA CORP（10） SEKISUI CHEM.（8） TOSHIBA KK（8） NAT INST ADV.（6）
TOYO INK SC .（6） TOYOTA MOTOR.（6） YAZAKI CORP（6） TOYOTA JIDOS.（5）
UNIV SEOUL N.（5） XEROX CORP（4） GRAPHENEDX I.（3） GRST INT LTD（3）
GUANGDONG HA.（3） KYOCERA CORP（3） KYODO YUSHI .（3） LINTEC CORP（3）

Polymer-graphene oxide composite material used for photoelectric conversion device, is obtained by dispersing polymethylmethacrylate powder in solvent chosen from several composition.

SHIN Q, DING K

Manufacturing method of graphene optical sensor, involves forming resist layer on side opposite to metal layer, forming pattern on resist layer by imprint and etching graphene using resist layer on which pattern is formed as mask.

SUDA S

Negative electrode material used for lithium ion secondary battery, comprises inorganic particles containing silicon, and capable of intercalating and deintercalating lithium ions, layer containing carbon, and layer containing silicon oxycarbide, in order.

MATSUMI N, BADAM R, NANDAN R

Power generation structure for utilizing power generation surface expanded by nanostructuring, has porous elastic structure having partial polarization unit and which is immersed in polar liquid is compressed and expanded to generate electric power.

TSUKADA Y, ITO H, NISHIHARA H, YOSHII T, YAMABE S

Sensor module for gas sensor, has dielectric layers that are provided at constant interval from graphene layer in normal direction of graphene layer on each of first surface side and second surface side of graphene layer.

MATSUMIYA Y

Exposure method for manufacturing integrated circuit, involves filling solid between photoresist and cover, and exposing solid, and performing liquid immersion exposure from outside of cover of photoresist.

SHINOHARA K

Capacitor has separator that is interposed between electrode containing active material, and other electrode containing other active material.

EZAKI K, NOBUMORI C, OBANA Y, MINAMIURA T, NAKAMURA T, ISHIMOTO H

Manufacturing optical device by forming resist of predetermined shape on multilayer graphene, and processing multilayer graphene together with resist, removing resist covering, and providing electrode covering exposed inclined end face of multilayer graphene.

KONDO D, HAYASHI K, ASO H

Method for etching hexagonal boron nitride (H-BN) film, involves introducing gas containing fluorine gas as etching gas for etching H-BN film to carry out reactive ion etching, and forming mask film for patterning H-BN film into predetermined shape.

SHINKAI S, MATSUMOTO S

Crystalline carbon substrate material has surface that is flattened by forming single layer or multiple layers of metal film having thickness of 100 nm or more on substrate surface by vacuum film forming process and hot-pressing entire surface in vicinity of melting point of metal film.

HIRAI A