国家/地区 韩国（58） 美国（35） 中国（15） 日本（12） 欧洲专利局（EPO）（4） 世界知识产权组织（2）
IPC部 H（53） B（21） C（16）
G（2）
IPC大类 H01（53） B82（18） C01（14）
B32（3） C23（3） H03（3）
B01（2） C07（2） G11（2）
H05（2）
IPC小类 H01L（49） B82Y（15） C01B（14）
B82B（4） B32B（3） C23C（3）
H01M（3） B01J（2） C07F（2）
G11C（2） H01B（2） H03K（2）
H05B（2）
IPC H01L029/78（21） H01L021/336（17） H01L029/786（15）
H01L029/16（13） H01L029/06（12） B82Y099/00（8）
C01B031/02（8） H01L029/10（8） H01L029/66（8）
H01L033/04（8） H01L051/05（8） H01L021/20（7）
H01L029/772（7） H01L051/30（6） B82Y010/00（5）
发明人 CHUNG H J（58）
公开年 2012（20） 2014（10） 2011（8） 2013（8） 2009（3） 2021（3） 2020（2）
申请年 2010（17）  2011（14）  2013（9）  2012（4）  2007（3）  2018（3）  2014（2）  2020（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（41） SAMSUNG LED .（12） KOREA ELECTR.（5） UNIV SEOUL N.（4）
BYUN K（3） CHUNG H（3） HEO J（3） PARK S（3）
SEO D（3） SNU R DB FO.（3） SNU R DB FOU.（3） SONG H（3）
LEE J（2）

Colloidal suspension useful in e.g. adhesives, wiring electrodes, conductive fibers, and electrodes for energy storage devices comprises carbon nanomaterial and amine-metal complex compound having substituent including hydrocarbon.

CHUNG H J, KIMMIJUNG, KIMJUNGMO, PARK J H, SEO S, LEE G, JEONG S, HAN J

Varistor junction array device has varistor element that is formed at each position where two-dimensional semiconductor and graphene are bonded.

CHUNG H J, HO L J, BONG J N, LEE J H, JEONG N B

Optical sensor for light detection in wide spectral range, has source and drain electrodes formed on first graphene layer and semiconductor layer, without being electrically connected to barrier layer and first graphene layer, respectively.

CHO K W, LEE H C, YOO M S, CHUNG H J

New graphene oxide used for preparing conductive graphene fibers contains oxygen-containing functional group e.g. epoxy or hydroxy on surface, but no surface oxygen-containing functional group e.g. lactol or carboxy.

HAN J T, KIM J H, CHO J Y, LEE G W, PARK J H, SEO S H, JEONG S Y, JEONG H J, HAN J, KIM J, LEE G, CHO J, JEONG S, SEO S, JUNG S Y, CHUNG H J

Producing graphene oxide reduced product-silicon metal particle composite useful in cathode for secondary battery, comprises e.g. producing graphene oxide reduction product, and coating polymer on silicon metal particles.

JEONG S, LEE G, YANG S, PARK J H, KIM I, JUNG S Y, LEE H, KIM M C, LIM S M, CHUNG H J, HAN J

Producing high density cathode material useful in cathode for secondary battery, comprises e.g. producing graphene oxide reduction product through cation-pi interaction, and coating polymer on silicon metal particles.

JEONG S, LEE G, YANG S, PARK J H, KIM I, JUNG S Y, LEE H, KIM M C, LIM S M, CHUNG H J, HAN J

Preparing graphene oxide reduction-silicon metal particle complex useful in secondary battery electrode, comprises e.g. preparing graphene-silicon metal particle powder and irradiating graphene-silicon metal particle powder with light.

CHUNG H J, LEE G, KIM H Y, PARK J H, SEO S, JEONG S, HAN J, LEE J

Graphene device has insulating layer which is provided between graphene layer and gate electrode, and semiconductor substrate is provided with tunable Schottky barrier formed by junction of source electrode, graphene layer and substrate.

CHUNG H, SEO D, PARK S, BYUN K, SONG H, YANG H, HEO J, CHUNG H J, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, YANG H J, HEO J S

Graphene memory has Schottky barrier that is formed between conductive semiconductor substrate and graphene layer such that graphene layer is used as charge-trap layer for storing charges.

LEE J, CHUNG H, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, HEO J, LEE J H, CHUNG H J, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, HEO J S, HUH J, JUNG H, SONG C, SAIL D

Graphene device used for electronic apparatus e.g. semiconductor device, consists of active layer, graphene layer, and electrode spaced apart from graphene layer and controls work function of graphene layer based on applied voltage.

SHIN H, BYUN K, SONG H, PARK S, SEO D, WOO Y, LEE D, LEE J, CHUNG H, HEO J, YOO I, SHIN H J, BYUN K E, SONG H J, PARK S J, WOO Y S, LEE D W, LEE J H, CHUNG H J, HEO J S, YOO I K, JIN S H, EUN B G, JAE S H, JUN P S, SEOK S H, SEONG W Y, GYEONG Y I, UK L D, HO L J, JONG J H, SEONG H J, HUI D, HUH J, YEO R, JUNG H