国家/地区 美国（28）
IPC部 B（20） H（20） C（19）
G（8）
IPC大类 H01（18） C01（15） B82（13）
B32（7） C23（6） B01（5）
B05（4） G03（4） C08（3）
H05（3） B29（2） B41（2）
C25（2） G01（2） G06（2）
IPC小类 C01B（15） B82Y（11） H01B（8）
B32B（7） B82B（6） H01L（6）
H01M（6） B01J（5） C23C（5）
B05D（4） G03F（4） H01G（4）
H05K（3） B29C（2） B41M（2）
IPC C01B031/02（9） C01B031/04（9） B82Y030/00（8）
B82Y040/00（8） B32B009/00（5） B82B003/00（5）
C01B032/184（5） C01B032/194（4） G03F001/22（4）
G03F001/62（4） H01B001/04（4） H01M004/04（4）
B82B001/00（3） B82Y099/00（3） C01B032/182（3）
发明人 KIM H K（28）
公开年 2011（11） 2012（3） 2013（3） 2021（3） 2015（2） 2018（2） 2022（2）
申请年 2011（7）  2010（6）  2013（3）  2020（3）  2012（2）  2017（2）  2022（2） 
专利权人 UNIV SUNGKYU.（9） GRAPHENE SQU.（8） UNIV SUNGKYU.（7） KIM H K（5）
KOREA ELECTR.（5） UNIV YONSEI .（5） HONG B H（4） AHN J（3）
BAE S K（3） HANWHA TECHW.（3） KIM H（3） SAMSUNG ELEC.（3）
SAMSUNG TECH.（3） UNIV SUNGKYU.（3） BAE S（2） UNIV INJE IN.（2）
UNIV SUNGKYU.（2）

Performing low-temperature direct growth method of multilayer graphene for manufacturing pellicle for extreme ultraviolet lithography, involves forming etch stopper on substrate, and forming seed layer on etch stopper, where seed layer is selected from boron nitride, or boron carbon nitride.

KIM H Y, CHO J W, KIM H M, KIM S G, KIM H K, KIM H, MI K H, KIM S K

Pellicle i.e. consumable component for protecting mask from contaminants in lithography process for semiconductor or display manufacturing, has substrate whose central portion is formed with opening, and pellicle layer containing amorphous carbon and core layer, formed on support layer.

KIM H Y, CHO J W, KIM H M, KIM S G, KIM H K, KIM H, MI K H, KIM S K, JEONJUNHYUCK, LEE S M

Preparing pellicle for extreme UV exposure with graphene defect healing layer, involves forming support layer of silicon nitride material on silicon substrate, and forming core layer of graphene material on support layer.

KIMHYUNGKEUN, MI K H, LEE W S, YANG H S, JOJINWOO, KIM B, JEONJUNHYUCK, LEE G H, KIM H Y, JEON J H, KIM S G, CHO J W, KIM H M, KIM H K

Directly growing multilayer graphene used in a pellicle for extreme ultraviolet lithography, involves forming small-layer graphene on SiN substrate, forming metal catalyst layer on small-layer graphene, and forming an amorphous carbon layer.

KIMHYUNGKEUN, MI K H, KIM H Y, LEE G H, SUNG K H, KIM H M, KIM S G, KIM H K

Manufacturing vehicle element involves pretreating surface of electrically conductive plastic molded product, forming metal plating layer on molded product, where metal plating layer comprises copper plating layer and nickel plating layer.

PARK S Y, LEE H C, YOON J Y, CHA D E, KIM H K

Multilayer electronic component e.g. capacitor, comprises component comprising stacked structure in which internal electrodes and dielectric layers including grains and graphene particles, are alternately stacked, and external electrodes.

SHIN Y R, KIM M G, KIM E S, KIM H K, LEE J Y, CHIN S M, SHEN Y, KIM M, KIM E, KIM H, LI Z, CHAN S

Conductive powder for internal electrode and capacitor, has graphene layer arranged on portion of surface of metal particle.

KIM M G, SHIN Y R, LEE J Y, CHIN S M, KIM H K

Negative active material for sodium secondary battery, comprises metal phosphate particles dispersed on graphene, and having ratio of number of metal phosphate particles having particle diameter and total number of metal phosphate particles.

KIM K B, ROH H K, KIM H K, KIM M S, NOH H K

Preparation of transition metal oxide/graphene composite used as anode material, involves applying microwave to mixed solution of transition metal salt comprising lithium, iron or titanium, water and graphite oxide.

KIM K B, KIM H K, KIM J Y

Method for fabricating graphene-based nanocomposite utilized in e.g. academic field, involves forming nanocomposite by forming metal oxide on graphene that is reduced using oxidation-reduction between graphene oxide and source material.

KIM K, JEGAL J, KIM H K, YOON S, KIM M, KWANGBUM K, JONGPIL J, SEONGMIN B, HYUN K K, SEUNGBUMYOON, KIMMYEONGSEONG