国家/地区 美国（111）
IPC部 H（87） C（53） B（40）
G（21） A（5） D（4）
IPC大类 H01（85） C01（30） B82（25）
B01（16） C08（10） C02（8）
C23（8） C09（7） G01（7）
G02（6） H05（5） A61（4）
B32（4） G03（4） B05（3）
IPC小类 H01L（59） C01B（29） B82Y（22）
H01M（19） H01B（13） B01J（10）
C02F（8） C08K（8） C23C（8）
B01D（7） C08L（6） C09K（6）
G01N（6） B82B（5） G02F（5）
IPC B82Y040/00（18） H01L021/02（17） B82Y030/00（15）
H01L029/16（14） C01B031/04（13） H01L029/06（12）
C01B031/02（10） H01L029/786（10） C01B032/182（8）
H01L021/768（8） H01L029/66（8） H01M004/62（8）
C08K003/04（7） C23C016/26（7） H01B001/04（7）
发明人 KIM S（111）
公开年 2022（17） 2021（16） 2023（13） 2016（12） 2012（9） 2014（9） 2013（7） 2015（7） 2017（7） 2020（6） 2018（5）
申请年 2021（18）  2022（18）  2011（9）  2013（9）  2015（9）  2017（9）  2014（8）  2020（7）  2012（6）  2016（6）  2019（6）  2018（4） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（44） UNIV SUNGKYU.（12） UNIV SEOUL N.（8） KIM S（7）
BOSCH GMBH R.（6） KOREA ADVANC.（6） UNIV KYUNGHE.（6） LG ENERGY SO.（4）
SNU R DB FO.（4） BASIC SCI IN.（3） KUMOH NAT IN.（3） SAMSUNG DISP.（3）
SAMSUNG ELEC.（3） UNIV KYUNGHE.（3） AN S（2） CHEORWON PLA.（2）
HANWHA TECHW.（2） INT BUSINESS.（2） KNU IND COOP.（2） KOREA INST S.（2）

Lithium secondary battery comprises negative electrode current collector; negative electrode layer disposed on negative electrode current collector; intermediate layer disposed on negative electrode layer and solid electrolyte or separator; positive electrode layer disposed on intermediate layer.

CHO S M, LIM J M, KANG H S, KIM S H, KIM S W, CHOI H S, NAM Y J, SUCK C H, CHO S, LIM J, KANG H, KIM S, JIN X, CUI H, NANRONG Z

Mixed lithium-ion electrode used in lithium-ion battery for electric vehicle, comprises first mixture of lithium metal oxide compound including nickel, cobalt, manganese, aluminum, iron, or its mixture, and second mixture of lithium iron phosphate compound including iron, manganese, cobalt, nickel.

PARK K T, KIM T K, MARK J, KIM S

Energy harvesting system includes solar cell for generating electrical energy based on sunlight, interface layer located under solar cell and comprising heat transfer layer for transferring heat generated by solar cell, and thermoelectric device located under interface layer.

LEE J H, PARK T H, YANG S G, PARK Y B, CHO K A, KIM S S, KIM S, CHO K, KUEN Y S, LEEJAEHWAN

Interconnect structure for electronic device, comprises first dielectric layer including trench, conductive wire filling inside of trench, first cap layer on top surface of conductive wire, first cap layer including doped graphene, and doped graphene being graphene doped with group fifth element.

JUNG A, KIM S, SHIN K, SHIN K W, KIM S T, JUNG A R

Energy storage film i.e. high-temperature capacitive energy storage film used in wearable electronic device, comprises first layer and second layer comprising aramid nanofibers (ANFs), mid-first layer comprising graphene fluoride (GF) disposed between first and second layer, third layer having ANFs.

VU M C, KIM S R, KIM S, VU M

Forming thin film of transition metal dichalcogenide involves providing substrate in reaction chamber, depositing transition metal dichalcogenide thin film on substrate using sputtering process that uses transition metal precursor and chalcogen precursor and is performing at first temperature.

JUNG J, SOHN A, SHIN H, BYUN K, KIM S, KIM C

Positive electrode for lithium battery, has composite material comprising positive active material as core of composite material, and coating layer located on surface of positive active material forming shell on core of composite material.

CHANG W, KIM H, KIM S, GWON H, CHOI H

Layer structure for use in integrated circuit device, comprises lower layer, ion implantation layer in lower layer, and carbon-based material layer on ion implantation layer, and ion implantation layer includes carbon, and further has high electrical performance with ultra small structure.

YOO M, BYUN K, KIM S, LEE C, LEE C S, BYUN K E, YOO M S

Vertical channel array transistor for use in semiconductor device, has graphene insertion layer that is formed between source/drain electrode and channel pattern.

BYUN K, KIM S, KIM C, SHIN K, LEE C, LI C, JIN C, JIN S, BYUN K E, SHIN K W, LEE C S

Semiconductor element used in various integrated circuit devices, has substrate comprising trench, source region, and drain region, where source region and drain region separated apart from each other by trench, gate insulating layer covering bottom surface and sidewall of trench, gate electrode.

CHO Y, BYUN K, KIM S, LEE E, BYUN K E, CHO Y C