国家/地区 韩国（23） 美国（23） 欧洲专利局（EPO）（9） 中国（8） 世界知识产权组织（5） 新加坡（2）
IPC部 H（18） B（15） C（15）
G（5）
IPC大类 H01（18） C01（13） B82（8）
B29（3） C23（3） C25（3）
G11（3） B01（2） B32（2）
B41（2） C07（2） C12（2）
G01（2）
IPC小类 H01L（14） C01B（13） B82Y（8）
H01B（5） B29C（3） C25B（3）
H01G（3） B01J（2） B29K（2）
B29L（2） B32B（2） B41M（2）
C12Q（2） C23C（2） C23F（2）
IPC C01B031/04（10） C01B031/02（9） H01L029/16（9）
H01L029/78（9） H01L021/336（7） H01L029/786（6）
H01L029/06（5） H01L029/66（5） B82Y040/00（4）
H01B013/00（4） H01L029/10（4） B82Y099/00（3）
H01L021/02（3） H01L029/778（3） H01L031/0224（3）
发明人 LEE J（26）
公开年 2014（16） 2013（8） 2015（2）
申请年 2013（26）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（13） LEE J（8） SNU R DB FO.（7） UNIV SEOUL N.（7）
TOSHIBA SAMS.（4） BYUN K（2） CHUNG H（2） HEO J（2）
JEON T（2） KIM Y（2） PARK S（2） SEO D（2）
SONG H（2） UNIV SINGAPO.（2）

Manufacture of functionalized graphene used for e.g. barrier material, involves forming mixture using graphite oxide, solvent and functionalized compound containing sulfur and amino group, reacting, and recovering resultant graphene.

LEE J S, DO SEUNG H, JEON S Y, HAN G W, KONG J H, DO S H, LEE J, DO S, JEON S, HAN G, KONG J

Formation of graphene layer on substrate used for semiconductor device, involves forming carbon source layer and metal catalyst layer on substrate, converting carbon source layer into graphene layer and removing metal catalyst layer.

BAEK J, JEON S, LEE J, BAEK J W, JEON S W, LEE J S

Graphene memory has Schottky barrier that is formed between conductive semiconductor substrate and graphene layer such that graphene layer is used as charge-trap layer for storing charges.

LEE J, CHUNG H, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, HEO J, LEE J H, CHUNG H J, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, HEO J S, HUH J, JUNG H, SONG C, SAIL D

Disk for fabricating graphene comprises thermoplastic polymer substrate with reflection layer disposed on one side of thermoplastic polymer substrate, and graphite oxide layer provided on thermoplastic polymer substrate.

CHOI K, SONG B, CHOI N, SHIM H, JUNG H, LEE J, KIL S C, BYUNG Y S, NAG E C, HYOUNG S S, HAN Y J, JUNG H L

Optical disk e.g. optical recording and/or reproducing device for fabricating graphene comprises thermoplastic polymer substrate with reflection layer for reflecting incident light; and graphite oxide layer applied on the substrate.

CHOI K, SONG B, CHOI N, SHIM H, JUNG H, LEE J, KIL S C, BYUNG Y S, NAG E C, HYOUNG S S, HAN Y J, JUNG H L

Apparatus for fabricating graphene comprises light source for irradiating graphite oxide layer on substrate; light source for irradiating irradiated graphite oxide layer; control unit for controlling irradiation from the light sources.

SONG B, CHOI K, CHOI N, SHIM H, JUNG H, LEE J, BYUNG Y S, KIL S C, NAG E C, HYOUNG S S, HAN Y J, JUNG H L

Fabricating graphene, i.e. an allotrope of carbon, comprises irradiating graphite oxide layer on substrate with light from first light source, and irradiating the irradiated graphite oxide layer with light from second light source.

SONG B, CHOI K, CHOI N, SHIM H, JUNG H, LEE J, BYUNG Y S, KIL S C, NAG E C, HYOUNG S S, HAN Y J, JUNG H L

Method for transferring graphene to manufacture e.g. bipolar junction transistor, involves bonding graphene layer to target layer, and removing sacrificial layer using excimer laser to separate substrate from graphene layer.

WENXU X, LEE J, MOON C, PARK Y, YANG W, KIM Y, XIANYU W, LEE J Y, MOON C Y, PARK Y Y, YANG W Y, KIM Y S, LEE J H

Electronic device e.g. field effect transistor (FET) has graphene that directly contacts area of semiconductor layer, and metal layer on graphene.

BYUN K, PARK S, SEO D, SONG H, LEE J, CHUNG H, HEO J, BYUN K E, PARK S J, SONG H J, LEE J H, CHUNG H J, HEO J S

Manufacture of graphene for fabricating electronic device and display device, involves forming silicon carbide thin film on substrate, forming metal thin film on silicon carbide thin film, and heating to obtain metal composite layer.

LEE D W, SHIN H, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, WOO Y, LEE J, CHUNG H, HEO J, SHIN H J, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, WOO Y S, LEE J H, CHUNG H J, HEO J S