国家/地区 美国（148）
IPC部 H（112） C（78） B（57）
G（19） A（6） F（3）
IPC大类 H01（109） C01（55） B82（31）
C23（17） B01（16） G01（13）
C09（11） B32（10） C12（8）
C25（8） C08（7） A61（6）
H05（6） C07（5） B29（4）
IPC小类 H01L（73） C01B（54） H01M（29）
B82Y（26） C23C（16） H01B（14）
B01J（13） B32B（10） H01G（10）
G01N（9） B82B（7） C08K（7）
C08L（6） C12N（6） C12Q（6）
IPC C01B031/04（35） H01L029/16（31） H01L029/78（26）
C01B031/02（22） H01M004/62（21） H01M004/36（18）
H01L021/336（17） H01L029/66（17） H01M010/052（17）
H01L021/02（16） H01L029/786（16） H01M010/0525（16）
B82Y040/00（14） H01M004/02（13） H01L029/06（12）
发明人 LEE J（148）
公开年 2015（21） 2022（21） 2014（20） 2021（17） 2016（13） 2013（12） 2023（10） 2012（8） 2011（6） 2017（6） 2020（6） 2010（5） 2018（2）
申请年 2013（23）  2021（19）  2015（18）  2014（17）  2022（17）  2020（14）  2011（8）  2016（8）  2012（7）  2010（6）  2009（4）  2019（3）  2017（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（65） LEE J（20） UNIV SEOUL N.（17） SNU R DB FO.（14）
KOREA INST S.（9） UNIV SUNGKYU.（9） KOREA RES IN.（5） LG ENERGY SO.（5）
SAMSUNG DISP.（5） LEE C（4） LEE S（4） PARK S（4）
SAMSUNG SDI .（4） SHIN H（4） SK ON CO LTD（4） TOSHIBA SAMS.（4）
UNIV HANYANG.（4） BYUN K（3） HANWHA CHEM .（3） KOREA ADVANC.（3）

Anode used for lithium secondary battery, comprises anode active material comprising carbon-based material and metal-based compound, binder, and multi-composite conductive agent comprising carbon-based conductive agent and metal-based conductive agent having different physical properties and shapes.

LEE J, WOO S, SANGGIL W, JENAM L

Three-terminal synaptic device comprises drain electrode provided on substrate and spaced apart from each other, channel layer provided on substrate, source electrode, and drain electrode, ion reservoir layer configured to store active ions, gate electrode provided on ion reservoir layer.

CHOI W, HWANG H, LEE K, KWON J, LEE H, LEE J, NOH S, NOH S J, YI J S, KWON J H, LEE G M, HWANGHYUNSANG

Composite active material for forming anode, comprises core comprising silicon-containing structure and/or silicon-containing compound, and shell comprising carbonaceous material, and at least one metal oxide arranged in matrix of carbonaceous material, arranged on and conformed to surface of core.

SHIM K, MAH S, SON I, JO S, KIM G, PARK J, KAPYLOU A, LEE J, EUN S K, MAH S K, JO S N, KIM G S, WAN L J, SHIM K E, MA X G, SON I H, KIM K S, PARK J H, LEE J W, LI J, PARK S, JIN G, ZHAO S, MA X

Metal particles used in adhesive paste or solder paste for composite bonding structure for semiconductor device, comprises core including metal and shell on surface of core, where shell comprises metal and nanoparticles.

CHU K, LEE J, JUNGHOON L, CHU K M

Substrate processing apparatus for manufacturing semiconductor device, comprises substrate support to support multiple substrates such that substrates are on substrate support, chamber sidewall surrounding side surface of substrate support, and upper plate having plate portions on substrate support.

OH S, AN S, LEE J, JEONG G, JUNG K O, LEE J H, AHN S J, OH S R

Polymer layer derived composition useful in a display device, comprises e.g. polyborondimethylsiloxane, benzoyl peroxide, fumed silica, glass fibers, glass powder, carbon nanotubes, graphene oxide, carbonyl iron, calcium carbonate, zinc oxide, silicone elastomer and polydimethylsiloxane.

HWANG S, LEE J, WU X, KIM J, KIM Y, SHIN H, YU W, YU W R, SHIN H J, SONG K Y, KIM J S, OH H J

Electronic device has substrate having channel between source and drain, gate electrode and film structure with first ferroelectric layer, crystallization barrier layer and second ferroelectric layer sequentially on channel, where average sizes of crystal grains of ferroelectric layers, is preset.

LEE J, LEE E, BAE H, MOON T, NAM S, JO S, LEE H, LEE Y, HEO J, LI Z, LI Y, XU Z

Electronic device used in ferroelectric materials, comprises channel between source and drain, gate electrode on substrate and facing channel, ferroelectric thin film structure between channel and gate electrode, crystallization barrier layer has dielectric material and second ferroelectric layer.

LEE J, LEE E, BAE H, MOON T, NAM S, JO S, LEE H, LEE Y, HEO J, HEO J S, LEE Y S, LEE H S, NAM S G, MOON T H, YOUL B, HA L, HO L J

Semiconductor devices with improved electrical characteristics e.g. integrated circuits including metal-oxide-semiconductor field effect transistors, has substrate, first interlayer insulating layer on substrate, lower interconnection line in first insulating layer, and upper interconnection line.

JUNG E, YOO S, KIM R, KIM K, LEE J

Sorbent used in system for carbon dioxide removal from ambient air, comprises silica, carbonaceous material, and epoxy modified aminopolymer, where carbonaceous material is graphite, graphene, coal, coke, nanotubes, fullerenes, and activated carbon, silica is combination of fumed silica.

PRIYE A, LEE J