国家/地区 日本(287)
IPC部 B(287)
IPC大类 B82(287) C01(287) H01(165)
B01(65) C09(57) C23(55)
C08(48) B32(47) B05(32)
C07(27) C25(27) C30(18)
C04(14) G01(14) H05(14)
IPC小类 B82Y(287)
IPC B82Y040/00(287)
发明人 FENG X(7) JANG B Z(7) MUELLEN K(7)
ZHAMU A(7) BEDWORTH P V(6) LIU Z(6)
MULLEN K(6) JIANG K(5) LEE S(5)
LI J(5) LIN X(5) SCHWAB M G(5)
TOUR J M(5) WANG Y(5) BAE S K(4)
公开年 2013(46) 2012(45) 2015(30) 2011(29) 2014(29) 2017(24) 2021(23) 2016(15) 2010(12) 2018(9) 2022(7) 2009(6) 2019(5) 2020(4) 2023(2)
申请年 2011(47)  2012(44)  2013(38)  2014(28)  2015(20)  2010(19)  2016(19)  2009(15)  2021(13)  2020(11)  2017(9)  2019(9)  2018(8)  2007(2)  2008(2)  2022(2) 
专利权人 FUJITSU LTD(12) BASF SE(9) NAT INST ADV.(9) SAMSUNG ELEC.(9)
HON HAI PREC.(7) HONGFUJIN PR.(7) LOCKHEED MAR.(7) NANOTEK INST.(7)
NAT INST MAT.(7) UNIV MANCHES.(7) UNIV TSINGHU.(7) BASF CHINA C.(6)
DOKURITSU GY.(6) JANG B Z(6) MAX PLANCK G.(6) SEMICONDUCTO.(6)
SONY CORP(6) ZHAMU A(6) LOCKHEED COR.(5) UNIV KUMAMOT.(5)

KAZUOMI S, KAZUHIRO T, YASUHIRO Y, MAYUMI K, RYOTA Y, SATO K, TOKUNAGA K, YUZUHARA Y, KOSAKA M, YUGE R

TSUYOSHI I, HARUYASU A, KEI O, KEIICHI N, TAKAYUKI K, FUMIAKI M, JUNSO F, SHOTA K, KUMANO S, FUJITA J, MAKINO F, KATO T, NAMBA K, OHKUBO K, ASAHARA H, INOUE G