国家/地区 日本(44)
IPC部 B(44)
IPC大类 B82(44)
IPC小类 C01B(44) B82Y(41) B82B(19)
H01B(16) H01M(12) B32B(9)
B01J(8) C08K(8) H01L(7)
B05D(6) C08L(6) C09K(6)
B01D(5) C08J(5) C09C(5)
IPC C01B031/00(44)
发明人 AKSAY I(3) AKSAY I A(3) PRUD APOS HOMME R K(3)
PRUD H R K(3) PRUD HOMME R K(3) PRUDHOMME R(3)
PRUDHOMME R K(3) TOUR J(3) TOUR J M(3)
WU Z(3) ADAMSON D(2) ADAMSON D H(2)
BEDWORTH P V(2) FENG X(2) HEISE S E(2)
公开年 2012(10) 2011(8) 2010(7) 2013(7) 2009(4) 2017(3) 2008(2)
申请年 2011(9)  2010(8)  2012(7)  2009(6)  2007(3)  2013(3)  2008(2)  2015(2)  2016(2) 
专利权人 SEMICONDUCTO.(4) UNIV PRINCET.(3) UNIV RICE WI.(3) BASF SE(2)
KUBOTA Y(2) LIU G(2) LOCKHEED COR.(2) LOCKHEED MAR.(2)
SAMSUNG ELEC.(2) SUN P(2) TAMAKI E(2) TORAY IND IN.(2)
TOUR J M(2) UNIV RICE WI.(2) UNIV SUNGKYU.(2) WU G(2)
WU Z(2)

TODORIKI H, YUKAWA M, SAITO Y, YAMAKAJI M, YATABE R, IKENUMA T, TODOROKI H, YUGAWA M, YONEDA Y, TSUKUDA R

BLANKENBURG S, CAI J, FASEL R, FENG X, MUELLEN K, PASSERONE D, PIGNEDOLI C, RUFFIEUX P, MULLEN K, PIGNEDOLI C A, TSAI J, CAI Y