国家/地区 美国（34） 韩国（33） 中国（31） 世界知识产权组织（27） 日本（21） 欧洲专利局（EPO）（15） 澳大利亚（7） 台湾（7） 加拿大（6） 新加坡（5） 西班牙（2） 香港（2） 以色列（2） 墨西哥（2）
IPC部 B（65）
IPC大类 B01（65） C01（65） C23（28）
B82（19） H01（14） C30（8）
C25（7） G01（5） B32（4）
C22（3） G03（3） A61（2）
B05（2） B23（2） B41（2）
IPC小类 B01J（65）
IPC C01B032/186（65）
发明人 BEDWORTH P V（3） LI Y（3） SWETT J L（3）
YOON J（3） CHOI J（2） CHOI J Y（2）
CHU J（2） HAN Y（2） HAYASHI K（2）
HEISE S E（2） HUANG K（2） IFUKU R（2）
KIM H（2） KIM J（2） LEE E（2）
公开年 2021（14） 2017（8） 2022（8） 2020（6） 2018（5） 2014（4） 2015（4） 2023（4） 2012（3） 2016（3） 2011（2）
申请年 2020（11）  2021（9）  2014（7）  2022（7）  2016（6）  2017（6）  2019（5）  2012（3）  2013（3）  2010（2）  2015（2）  2018（2） 
专利权人 LOCKHEED MAR.（3） SAMSUNG ELEC.（3） APPLIED GRAP.（2） FUJITSU LTD（2）
HANWHA TECHW.（2） LOCKHEED COR.（2） SAMSUNG TECH.（2） TOKYO ELECTR.（2）
UNIV DURHAM（2） UNIV IACF SU.（2） UNIV SOUTHWE.（2）

System for realizing formation of high throughput and high yield graphene for use in applications such as batteries, ultra-capacitors and fuel-cells, has gas distribution subsystem for dispensing annealing gas composition to inner side of processing sub-enclosure.

PHILPOTT R, BARAKET M, SHERRILL V

Depositing graphene or graphene oxide onto substrate from gaseous source of carbon precursor involves using plasma-enhanced chemical vapor deposition method, where carbon precursor consists of ethylene and the process is carried out in absence of carrier gas.

JOUIAD M, EL MARSSI M, LEJEUNE M

Preparing secondary enhanced graphene gas gel useful in shoes, comprises introducing substrate layer on prepared graphene gas gel surface, performing chemical vapor deposition reaction and growing sheet layer or spherical graphene aggregate on surface of substrate layer.

ZHENG L, SHEN Y, ZHENG Y, WU L, WANG H

Producing multilayer graphene, involves synthesizing multilayer graphene from carbon source using iron-chromium alloy film as catalyst.

HAYASHI K, KONDO O

Producing multilayer graphene involves recrystallizing catalyst film by performing heat treatment of heating catalyst film containing iron and nickel in atmosphere containing hydrogen, and another atmosphere containing hydrogen and hydrocarbons to form stacked graphenes.

HAYASHI K

In-situ preparation method of carbon material comprises adding substrate and metal-based solution in the catalytic zone of a reactor with protective gas and controlling the catalytic reaction process, sending substrate and metal-based solution in the catalytic zone into reaction zone of the reactor.

JI Z, ZHANG T, DONG Q, GAO C, HE Y, CHU D, BAI W

Continuous mass production of graphene using thermal plasma comprises, generating plasma by injecting, injecting expandable graphite and intercalation graphite, exfoliating graphene by expanding expanded graphite, and drying by hot air.

KYOUNGJEONGBAE, HWAN B J, CHOI S

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Manufacturing copper nano-wrinkle structure useful as an electrocatalyst to convert carbon dioxide into carbon material, comprises e.g. generating graphene on copper substrate using chemical vapor deposition.

JUNG H T, KIM J Y, JUNG W B

Manufacturing graphene wrinkles using three-dimensional structure patterning process comprises etching transition metal thin film to form three-dimensional pattern and inserting into chemical vapor deposition chamber to synthesize graphene.

KIM J, WIMALANANDA M D S, LEE J M