国家/地区 中国（36） 美国（25） 韩国（18） 世界知识产权组织（11） 欧洲专利局（EPO）（5） 台湾（4） 印度（3） 日本（3） 德国（2） 英国（2）
IPC部 C（72）
IPC大类 C23（72）
IPC小类 C23C（72） H01L（23） C01B（16）
B82Y（11） C30B（6） H01M（6）
C01G（5） B05D（4） B01J（3）
C10M（3） C25D（3） G01N（3）
G02B（3） H01B（3） B22F（2）
IPC C23C016/40（72）
发明人 ZHANG H（5） LI J（4） BERMAN D（3）
CHOI J（3） EDDY C R（3） ERDEMIR A（3）
GARCES N（3） GASKILL D K（3） JERNIGAN G G（3）
SHARMA K（3） SUMANT A V（3） WANG G（3）
WHEELER V D（3） BADCOCK T J（2） CHEN B（2）
公开年 2022（20） 2021（15） 2023（10） 2020（6） 2018（5） 2013（4） 2014（3） 2017（3） 2015（2） 2019（2）
申请年 2021（21）  2022（18）  2020（8）  2016（5）  2018（4）  2019（4）  2013（3）  2012（2）  2014（2）  2015（2） 
专利权人 LAM RES CORP（3） UCHICAGO ARG.（3） US SEC OF NA.（3） DAEGU GYEONG.（2）
NINGBO INST .（2） PARAGRAF LTD（2） SAMSUNG ELEC.（2） UNIV HAINAN（2）
UNIV MISSOUR.（2）

Thin film for negative electrode of lithium secondary battery, comprises first silicon oxide layer containing silicon oxide, silicon layer provided on one surface of first silicone oxide layer and containing silicon, and second silicon oxide layers.

YOUNG C K, LIM J

Depositing nanoscale-thin film in preselected area on substrate for area-selective atomic layer deposition based on electron beam patterning of chemical functional groups, involves depositing layer of functionalizing molecule onto or adjacent to first surface of substrate.

YOUNG M J, MASCHMANN M R

Graphene interconnect structure useful for electronic device comprises first oxide dielectric layer including porous silicon oxide, or amorphous boron nitride, second oxide dielectric layer including aluminum oxide and graphene layer.

KIM C, BYUN K E, SHIN K W, LEE C S, BAEKWON P, PARK B, LEE C, SHIN K, BYUN K

Depositing polystyrene microspheres by selecting substrate for polystyrene microsphere deposition, placing substrate on substrate in reaction chamber of atomic layer deposition instrument, vaporizing diethyl zinc, ultrasonically dispersing and soaking substrate in polystyrene microsphere suspension.

GENG Z, PU J, CAO Q, DU J, XU X, ZHANG H, GUAN C

Normally-closed gallium nitride integrated device of large threshold voltage used in mobile phone, has sub-gate composed of gate layer connected through graphene film electrode to form series-parallel mixed double high frequency characteristics high electron mobility transistor integrated structure.

LUO M, CHENG T, WANG X, ZU Y, YU C

System for preparing core-shell polymer yarn, has inner core containing polymer monofilament(s) or polymer multifilament, and outer shell containing mixture of at least one polymer with specified softening point, biocide and/or additive containing metallic, ceramic, inorganic or organic group.

MAHAJAN C, GUNARI N, GARWARE V R

Depositing high-quality aluminum oxide thin films on surface of graphene comprises cleaning graphene substrate and adding into atomic layer deposition chamber, passing water molecules into atomic layer deposition chamber for pretreatment, obtaining required film and cooling.

LI N, LU W, LIU T, ZHANG Y, FAN T, XIA Y, WU S, TANG C, QU F

Photoanode used for photoelectrochemical decomposition of water and oxygen evolution, comprises base layer, dielectric passivation layer and sandwich composite layer arranged in sequence.

GONG J, XIE G

Preparing confinement structure composite material comprises forming nanoporous material layer of first material and second material filled in nanopore, so that nanopores form hydrophilic or hydrophobic confinement space.

XU W, ZHANG Q, CHEN B, XIAO X

Machining of titanium alloy with micro-groove textured cutting tool has different type of tool inserts like plain tool, triangle micro texture tool and triangle texture tool with solid lubricant using tungsten carbide chemical vapor deposition coated insert.

KAUR H, BALA A, SETHI G, CHAWLA K, BAHL A, SINGH J, PRADHAN S, SOPPA I