国家/地区 台湾（13）
IPC部 B（13）
IPC大类 C23（13）
IPC小类 B82Y（10） C01B（10） C23C（9）
B32B（6） B21B（4） C22C（4）
C22F（4） C23F（4） B05D（3）
H01B（3） B01J（2） C30B（2）
H01L（2） H05K（2）
IPC C01B031/04（9） B82Y040/00（8） B82Y030/00（7）
C01B031/02（7） B21B001/40（4） C22C009/00（4）
C22C009/02（4） C22F001/08（4） C23C016/26（4）
B21B003/00（3） C01B032/186（3） C22F001/00（3）
C23C016/02（3） B05D005/12（2） B21B027/02（2）
发明人 CHIBA G（4） CHIBA Y（4） FAN S（3）
YOSHIHIRO C（3） CHIBA YOSHIHIRO（2） JIANG K（2）
LIN X（2）
公开年 2013（10） 2012（3）
申请年 2012（13）
专利权人 JX NIPPON MI.（4） NIPPON MININ.（4） NIPPON MININ.（4） HON HAI PREC.（3）
HONGFUJIN PR.（3） UNIV TSINGHU.（3） NIPPON MININ.（2）

Heating element and method of manufacturing the same, includes a substrate, a diamond layer over the substrate, and a nitrogen-doped diamond layer and/or a hybrid layer of nitrogen-doped diamond and graphene.

TZENG Y, YEH S, TZENG Y H

Composite structure, useful for a transparent electrode in display panels of mobile phones and tablet personal computers, comprises nanofiber substrate, graphene layer disposed on a surface of a net structure and organic compound.

MA C M, HUANG Y, YANG S, TIEN H, MA M C, WANG N

Epitaxial structure comprises substrate having patterned epitaxial growth surface defining grooves, graphene layer covering patterned epitaxial growth surface, and epitaxial layer on patterned epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Making strip shaped graphene layer used as conductive layer in semiconductive device, comprises making drawn carbon nanotube film, disposing carbon nanotube composite, removing polymer material and etching nanotube segment and graphene film.

LIN X, JIANG K, FAN S

Making strip shaped graphene layer used in semiconductor devices e.g. sensor, involves providing carbon nanotube structure comprising film on substrate surface, implanting carbon ions into substrate, and annealing substrate to obtain layer.

LIN X, JIANG K, FAN S

Growing graphene by chemical vapor deposition used in electronics involves disposing metals and dielectric substrates in reactor, where gap is formed between them/introducing and heating reaction gases/depositing graphene films on substrate.

TENG P, LIN Y, CHIU P, TENG P Y, LIN Y C, CHIU P W

Manufacturing electrical conductor, comprises providing substrate layer, depositing surface layer on substrate layer, and depositing graphene layer on substrate layer.

SULLIVAN M M E, HILTY R D, MARTENS R I, ZHENG M, HEMOND J H B, LIU Z, SULLIVAN MALERVY M E, SULLIVAN MALERVY M, HILTY R, MARTENS R, HEMOND J, SULLIVANMALERVY M E

Copper foil used for manufacturing graphene, comprises copper with specific purity.

CHIBA Y, ONO T, CHIBA G

Pre-processing method of catalyst metal layer during formation of graphene, involves activating catalyst metal layer by applying plasma of process gas containing reducible gas and nitrogen-containing gas to catalyst metal layer.

MATSUMOTO TAKASHI, MATSUMOTO T

Copper foil for manufacturing graphene, has specified arithmetic mean roughness in rolling parallel direction and rolling perpendicular direction.

CHIBA YOSHIHIRO, CHIBA Y, CHIBA G, YOSHIHIRO C