国家/地区 中国（40）
IPC部 C（40）
IPC大类 C01（11） C08（7） B01（5）
C09（5） C23（5） C02（3）
C07（3） C30（3） H01（3）
B82（2） C04（2） C10（2）
IPC小类 C01B（11） C08K（7） C08L（6）
B01J（5） C23C（5） C02F（3）
C07C（3） C09D（3） C30B（3）
B82Y（2） C04B（2） C08F（2）
C08G（2） C09K（2） C10M（2）
IPC C01B031/04（7） C08K003/04（6） C23C016/26（4）
C01B032/184（3） C23C016/01（3） C30B029/02（3）
B82Y030/00（2） B82Y040/00（2） C01B032/19（2）
C08K005/14（2） C08K007/00（2） C08L091/00（2）
C09D007/12（2） C09D163/00（2） C10M141/08（2）
发明人 ZHAO X（40）
公开年 2016（28） 2017（11）
申请年 2016（40）
专利权人 UNIV CHONGQI.（7） UNIV ZHEJIAN.（6） UNIV SHANDON.（4） SHANDONG BEN.（3）
ZHENJIANG CO.（3） ANHUI LANDE .（2） JINING LEADE.（2） SHANDONG OUB.（2）
UNIV BEIJING.（2）

Preparation of graphene-grafted modified phenolic resin material involves preparing azide phenolic resin from chloromethylated phenolic resin, reacting azide phenolic resin with graphene, and separating modified phenol resin material.

LI M, ZHAO X, SUN Z, ZHENG R, XU G, GUO D, WANG S, SUN L

Preparing graphene transparent electrode film involves cleaning base body ultrasonically with acetone, putting pre-treated substrate into plasma sputtering furnace, covering base with heat insulation cover and heating.

WU H, ZHAO X, HUANG K, XIA Y, ZHANG C, LU X, SHEN G, WEI H, XIA W

Preparing lightweight three dimensional nano molybdenum disulfide-graphene complex absorbing coating comprises taking molybdenum disulfide, graphene oxide and ascorbic acid as raw material, carrying out ultrasonic dispersion and heating.

ZHANG Y, DING Y, LIAO Q, ZHANG Z, LIU S, LUO B, ZHAO X

Preparing graphene on 6H-4H-silicon carbide metal composite substrate involves polishing 6H-4H-silicon carbide carbon surface, cleaning and cutting, placing in chemical vapor deposition furnace chamber and filling with argon.

CHEN X, CHENG X, MA Q, SUN L, XU X, YANG Z, YU F, ZHANG J, ZHAO X

Preparing graphene nanobelts for synthesizing nanometre composite material, involves reducing carbon nanotubes with carbon nanotubes as raw material in high-purity inert atmosphere under protection of dimethyl ether derivatives, and organi.

LI X, ZHAO X, ZHANG S, SU Z, ZHAO Y, ZHANG Y

Method for growing graphene on hexagonal silicon carbide silicon surface used in preparation of graphene single crystal, involves polishing hexagonal silicon carbide wafer, etching wafer, depositing metal substrate and growing graphene.

CHEN X, CHENG X, MA Q, SUN L, XU X, YANG Z, YU F, ZHANG J, ZHAO X

Growing of large-sized monocrystalline graphene on silicon carbide substrate used for microelectronic device, involves polishing silicon carbide substrate, introducing e.g. argon, placing probe on substrate and growing graphene on substrate.

CHEN X, CHENG X, MA Q, SUN L, XU X, YANG Z, YU F, ZHANG J, ZHAO X

Preparing highly dispersed graphene oxide quantum dots comprises e.g. adding the pulverized coal to the oxidizing acid solution, carrying out oxidation reaction to obtain the mixed solution A, subjecting solution A to rotary evaporation.

LI X, ZHANG Y, HUANG Y, SU Z, ZHAO Y, ZHAO X, WANG R

Cable sheathing material comprises e.g. nitrile rubber, isoprene rubber, polyetherketone, bis(pentamethylene)thiuram tetrasulfide, dicumyl peroxide, gamma-glycidoxypropyltrimethoxysilane, asbestos, graphene and urea-formaldehyde resin.

LI Z, ZHAO X, ZHANG Y, QIU B, WANG L, MAO Z, CHEN L

Low thermal resistance and anti-irradiation nano- multilayer thin film material has multilayer composite structure in which metal tungsten nano-meter film and single layer graphene are cross-laminated.

XIAO X, SI S, ZHAO X, LI W, JIANG C