国家/地区 中国（77） 美国（71） 韩国（56） 世界知识产权组织（40） 日本（34） 欧洲专利局（EPO）（21） 台湾（16） 德国（8） 新加坡（5） 法国（4） 英国（4） 澳大利亚（2） 巴西（2） 加拿大（2） 西班牙（2） 香港（2） 印度（2） 俄罗斯（2）
IPC部 C（179）
IPC大类 C23（179）
IPC小类 C23C（174） C01B（108） B82Y（53）
H01L（33） B32B（28） H01B（20）
B01J（17） B05D（14） C30B（12）
C23F（9） C22C（6） G02F（6）
H05K（6） B44C（5） B82B（5）
IPC C23C016/26（103） C01B031/02（75） C01B031/04（51）
B82Y030/00（45） B82Y040/00（45） C23C016/02（18）
C23C016/44（17） B32B009/00（11） C23C016/00（11）
H01B001/04（11） H01L021/02（11） B32B009/04（10）
C23C016/56（10） C23C028/00（10） H01L021/205（10）
发明人 LIU Z（7） WANG D（5） ZHOU M（5）
CHAI Z（4） FAN S（4） HAN D（4）
HAO Y（4） HUANG H（4） LI X（4）
NING J（4） YAN Y（4） ZHANG J（4）
ZHANG L（4） ZHANG X（4） ZHANG Y（4）
公开年 2013（179）
申请年 2012（85）  2013（57）  2011（36） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（7） UNIV SUNGKYU.（7） KOREA ADVANC.（5） HON HAI PREC.（4）
HONGFUJIN PR.（4） INT BUSINESS.（4） JX NIPPON MI.（4） PANASONIC CO.（4）
UNIV SINGAPO.（4） UNIV SUNGKYU.（4） UNIV TSINGHU.（4） UNIV XIDIAN（4）
CENT NAT REC.（3） CHONGQING IN.（3） EMPIRE TECHN.（3） LG ELECTRONI.（3）
LI X（3） NIPPON MININ.（3） SAMSUNG TECH.（3） SEONG K L（3）

Production of graphene used in manufacture of semiconductor devices, involves providing substrate, focusing laser beam in presence of carbon doping gas and continuing focusing laser beam to photolytically react carbon with substrate.

KAR A, QUICK N R

Chemical vapor deposition system used for manufacturing graphene, comprises cooling portion which cools grapheme, graphene combiner which synthesizes graphene by chemical vapor deposition, and material supply portion.

NA D H

Preparing double-layer graphene thin film used in field of e.g. micro-electronics, comprises e.g. coating catalyst on the surface of metal foil/thin film substrate, drying, placing in reaction chamber, pumping vacuum, and filling hydrogen.

LI P, WANG Z, CHEN Y, ZHANG W, LIU J

Gas-sensitive composite nanofilm production by dripping graphene oxide dispersion onto water on Langmuir-Blodgett film trough, compressing dispersion in film-forming mold, and transferring film to gas-sensing device for reduction treatment.

LI S, XU J, YANG Y, ZHANG L, JIANG Y, YANG W, ZHANG B

Structure useful to shield electromagnetic disorders for shielding electromagnetic radiation, comprises thin layer of graphene and flexible substrate, in which thin layer of graphene is applied on flexible substrate and is doped with dopant.

AVOURIS P, GARCIA A V, SUNG C, XIA F, YAN H

Synthesis of thin film e.g. graphene film for e.g. electronic application, involves stacking buffer layer on substrate, coiling substrate and buffer layer stack to cylindrical shape, forming thin film, and unloading substrate.

LI X

Graphene growth device includes graphene deposition system, deposition furnace, vehicle, inner quartz tube, horizontal slide rail, heating system, vehicle body, furnace body, graphite mold, graphite alkenyl bottom, and opening end.

JIN H, LIU Z, ZHOU Z, PENG P

MManufacturing three-dimensional structure of graphene useful in flexible display, comprises preparing mold, forming graphene layer on mold, forming support structure for covering first and second sides on graphene layer, and removing mold.

LEE S, BYUN N, JUNG M, LEE D, SEO B

Saturable absorber device used in laser cavity for e.g. infrared detection comprises optical element, and absorber material with polarized ferroelectric material/graphene to form gate tunable graphene-ferroelectric hybrid saturable absorber.

OEZYILMAZ B, NI G X, ZHENG Y, OZYILMAZ B, OEZYILMAZ B

Depositing graphene onto a substrate used in polymeric composites, involves transferring solubilized graphene onto the substrate in a liquid medium, where transferring occurs by changing the solubility of graphene in the liquid medium.

PAWLOSKI A R, BENNETT G S, CERNOHOUS J J, KASKE K, SZYMANSKI A E