国家/地区 日本（39） 美国（37） 世界知识产权组织（36） 欧洲专利局（EPO）（30） 中国（28） 韩国（25） 印度（12） 台湾（12） 加拿大（9） 英国（7） 新加坡（6） 澳大利亚（4） 香港（4） 西班牙（3） 以色列（3） 墨西哥（3） 南非（3） 马来西亚（2） 波兰（2） 土耳其（2）
IPC部 C（42）
IPC大类 C01（42） H01（41） B82（22）
C08（11） C23（10） C09（9）
H05（9） B01（8） C07（6）
C04（5） C25（4） G01（4）
B05（3） C10（3） H04（3）
IPC小类 C01B（42） B82Y（22） H01L（17）
H01B（14） H01M（13） C23C（10）
H01G（9） C08K（7） C09D（7）
H05K（6） C04B（5） C07C（5）
C08L（5） B01J（4） B82B（4）
IPC C01B032/182（42）
发明人 LEE J（4） HASEGAWA S（3） HASEGAWA SHOJI（3）
KAMIYA N（3） KAMIYA NAGISA（3） KWON W（3）
KWON W J（3） SOHN K（3） SOHN K N（3）
CHIU G（2） DO S（2） DO S H（2）
DO SEUNG H（2） GUO S（2） HOWE W R（2）
公开年 2015（42）
申请年 2014（17）  2015（15）  2013（10） 
专利权人 GRAPHENE PLA.（3） LG CHEM CO L.（3） LG CHEM LTD（3） UNIV CALIFOR.（3）
BASF SE（2） BOEING CO（2） CHIU G（2） GRAPHENE PLA.（2）
GUO S（2） HANWHA CHEM .（2） MAX PLANCK G.（2） NAT INST ADV.（2）
NOKIA TECHNO.（2） OZKAN C S（2） OZKAN M（2） TOSHIBA KK（2）
UNIV MANCHES.（2） WANG W（2）

Processing of to-be-processed material for electronic device, involves forming resist mask on graphene film of to-be-processed material and remove resist residue on graphene film by exposing to-be-processed material to oxygen radicals.

KAGAYA MUNEHITO, KAGAYA M

Composition for producing graphite blocks used as thick lubrication blocks, electrode replacements for synthetic graphite electrodes, neutron ray filters, and as furnace liners, comprises graphite flakes and graphene oxide.

CHIU G, SUNG T, MCCLOSKEY J W, HYATT R J

Method of manufacturing graphene layer on substrate, involves laminating metalized graphene layer to second substrate.

LIPOMI D J, ZARETSKI A, LIPOMI D

Apparatus for plasma synthesis of graphitic products including graphene, passes cracked carbon-containing species into reaction chamber, and recombining cracked carbon-containing species within afterglow.

PENNINGTON D A, CLAYTON A R, JUDA K L, PAUKNER C, KURZEPA L, COOPER R H S J, KOZIOL K K, JOAUG J Y, ST JOHN COOPER R H, ST JOHN C R H

Reduced graphene oxide (RGO) flakes percolation network e.g. for sensor, has RGO ink including overlapping stacked arrangement of RGO flakes that are functionalized to facilitate detectable changes in flow of charge carriers.

SPIGONE E, HAQUE S M, KIVIOJA J

Preparation of graphene material used for component of electronic device e.g. energy storage device and energy generation device, involves exposing polymer to laser source and forming graphene.

KITTRELL C, LIN J, PENG Z, TOUR J M, HAYASHI K

New ortho-terphenyl derivatives used for preparing graphene nanoribbons for thin film semiconductor for use in optical device, such as organic field effect transistor device, organic photovoltaic device or organic light-emitting diode.

SCHWAB M G, MULLEN K, FENG X, DUMSLAFF T, RUFFIEUX P, FASEL R, MUELLEN K

Composite for active material of negative electrode of non-aqueous electrolyte battery, has graphene structure located in between active material particles and having at least one side surface in contact with active material particles.

NAITO K, HARADA Y, YOSHINAGA N, AKASAKA Y, KATSUYUKI N, YASUHIRO H, NORIHIRO Y, YOSHIHIRO A, AKITA M

Porous silicon-carbon composite used for negative electrode active material, comprises core including active particles containing silicon particles and/or silicon oxide particles and shell layer including graphene coated on core.

HWANG E Y, KIM I Y, LEE J Y, KWON W J, SOHN K N, YANG S B, HUANG Y, KIM I, LEE J, KWON W, SOHN K, YANG S

Preparation of graphene used as exciting material, involves thermally pretreating substrate in chemical deposition chamber using gaseous or supercritical oxidant, and preparing graphene on pre-treated surface by chemical deposition.

STRUDWICK A, SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, WEBER N, BINDER A, MULLEN K, STRUDWICK A J, WEBER N E