国家/地区 美国（242）
IPC部 H（242）
IPC大类 H01（231） B82（145） C01（114）
B32（48） C23（32） B01（22）
H05（19） B05（18） C09（15）
C08（14） G01（10） C07（7）
C03（6） G02（6） H03（6）
IPC小类 H01L（149） B82Y（142） C01B（113）
H01B（69） H01M（53） B32B（48）
C23C（32） H01G（31） B01J（22）
B05D（18） B82B（17） H05K（12）
C08K（10） C08L（7） G01N（7）
IPC B82Y030/00（88） B82Y040/00（88） C01B031/02（85）
C01B031/04（69） H01L029/16（44） H01B001/04（42）
B82Y099/00（36） H01L021/336（34） H01L029/06（34）
H01L029/78（32） H01L029/786（28） H01M004/583（28）
C23C016/26（26） H01L021/02（25） B32B009/00（23）
发明人 ZHOU M（12） WANG Y（11） CHUNG H（10）
GRILL A（10） LEE S（10） SHIN H（10）
CHUNG H J（9） SEO S（9） CHOI J（8）
DIMITRAKOPOULOS C D（8） HEO J S（8） JIANG K（8）
LEE S H（8） LIN X（8） SEO S A（8）
公开年 2012（242）
申请年 2011（121）  2012（85）  2010（36） 
专利权人 INT BUSINESS.（27） SAMSUNG ELEC.（26） HAIYANGWANG .（11） OCEANS KING .（11）
OCEAN S KING.（9） HON HAI PREC.（8） UNIV TSINGHU.（8） HONGFUJIN PR.（7）
SEMICONDUCTO.（6） HANWHA TECHW.（5） KOREA ADV IN.（5） NOKIA CORP（5）
SAMSUNG TECH.（5） UNIV SUNGKYU.（5） ZHOU M（5） BATTELLE MEM.（4）
EMPIRE TECHN.（4） KOREA ADVANC.（4） KOREA INST S.（4） NOKIA TECHNO.（4）

Formation of transistor structure involves forming graphene layer on insulating layer, forming stack of primary and secondary metal portions, and laterally offsetting sidewalls of primary metal portion relative to secondary portion.

AVOURIS P, FARMER D B, LIN Y, ZHU Y

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Fabrication method for forming sensor e.g. graphene biosensor involves forming sensor having first dielectric layer disposed on substrate, graphene layer disposed on first dielectric layer and gate region disposed on sacrificial layer.

GUO D, HAN S, LIN C, SU N

Method of forming graphene metal matrix composite for e.g. semiconductor device, involves removing solvent containing graphene nanoplatelets to form uniformly oriented graphene layer which is included within metal matrix.

KIM N P, HUANG J P

Metal-free complementary metal oxide on semiconductor integrated circuit for use in semiconductor chip fabrication field, has graphene layer including region of undoped graphene, where undoped graphene is connected with transistor channel.

LIN Y, YAU J

Preparing graphene-layered structure e.g. epitaxial structure that is useful in e.g. transistor, by implanting nitrogen and oxygen ions on surface of silicon carbide thin film to form ion implantation layer and heat treating the film.

SHIN H, CHOI J, AHN J, SEO J, AHN J R, CHOI J Y, SEO J T, SHIN H J

Graphene-on-substrate, useful as transparent electrode of e.g. transistor, comprises substrate, first intermediate layer disposed on substrate, graphene disposed on first layer, and second intermediate layer disposed on graphene.

WOO Y, CHOI J, SHIN H, YOON S, WOO Y S, CHOI J Y, SHIN H J, YOON S M

Graphene useful in power storage device e.g. display devices having at least one hole inside a ring-like structure formed by carbon and nitrogen or carbon and at least one element selected from Group 16 element and halogen.

HIROHASHI T, OGUNI T, KOKUNI T

Graphene comprising a hole, useful e.g. for coating an electrode and an active material which are useful in a power storage device and an electric appliance e.g. a display device, a lighting device and a desktop personal computer.

HIROHASHI T, ADACHI S

Multilayer graphene, useful in power storage device e.g. display devices, video cameras and lighting devices, comprises graphenes stacked in layered manner, where graphenes comprise six-membered ring, poly-membered ring and oxygen atom.

OGUNI T, TODORIKI H, OSADA T, KOKUNI T, TODOROKI H, NAGATA T