国家/地区 世界知识产权组织（115）
IPC部 B（115）
IPC大类 C01（115）
IPC小类 C01B（115） B82Y（74） H01L（28）
C23C（24） H01B（21） H01M（21）
B01J（19） B32B（19） H01G（18）
B82B（17） B05D（13） C07C（10）
C07D（8） B01D（7） C08K（7）
IPC C01B031/04（88） C01B031/02（72） B82Y040/00（63）
B82Y030/00（52） C01B032/182（30） C23C016/26（20）
C01B032/15（18） H01G011/36（17） C01B032/18（15）
C01B032/184（15） B32B009/00（14） C01B032/194（14）
B82B003/00（12） C01B032/186（12） H01L021/02（12）
发明人 GUO S（5） OZKAN C S（4） OZKAN M（4）
YOON J（4） YOON J H（4） DUERKSEN G L（3）
MILLEN K（3） MILLER S A（3） MUELLEN K（3）
WANG W（3） WANG Y（3） WU Z（3）
ABDELKADER A M（2） ANDERSON K（2） CAI J（2）
公开年 2014（64） 2013（33） 2015（18）
申请年 2013（115）
专利权人 EMPIRE TECHN.（7） HANWHA TECHW.（5） SAMSUNG TECH.（5） BASF CHINA C.（4）
BASF SE（4） MAX PLANCK G.（4） UNIV CALIFOR.（4） UNIV SINGAPO.（4）
DOKURITSU GY.（3） GUO S（3） HANWHA AEROS.（3） LOCKHEED MAR.（3）
NAT INST ADV.（3） OZKAN C S（3） OZKAN M（3） UNIV MANCHES.（3）
UNIV NANYANG.（3） WANG W（3） CALIFORNIA I.（2） EMPA EIDGENO.（2）

Preparing anthracite based graphene oxide comprises e.g. preparing ultra-clean anthracite powder, adding dispersant, carrying out ultrasonication to prepare dispersion liquid, and preparing graphene oxide colloid solution.

ZHANG L, ZHANG M

Patterning of graphene oxide film used in production of electronic component, involves depositing graphene oxide film on substrate, reducing portion of film, and producing pattern of reduced graphene oxide area in graphene oxide film.

BORINI S, WEI D, WHITE R, BESSONOV A A

Etching method of graphene, involves etching exposed portions of graphene to form etched graphene structure, after applying resist to surface of graphene opposite to patterned substrate.

ANDERSON K, SJONG A

Production of graphene oxide and/or graphite oxide nanoplatelet structure used for e.g. sensors, involves passing current through cell to intercalate anions into graphitic positive electrode and exfoliating.

ABDELKADER A, KINLOCH I, DRYFE R

Manufacture of graphene powder used for, e.g. electronic components, involves cleaving raw material containing graphite by jet stream of gas at specific speed, and micronizing.

HASEGAWA SHOJI, KAMIYA NAGISA, HASEGAWA S, KAMIYA N

Formation of binder-free hybrid carbon nanotube and graphene nanostructure for energy devices, involves forming on substrate, depositing catalyst particles and growing nanotubes on graphene layer using ethylene/hydrogen mixture.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Energy device used in supercapacitor application, comprises porous metal substrate, graphene layer deposited onto surface of porous metal substrate, carbon nanotubes, and metal oxide nanostructures.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Energy device used in supercapacitor, consists of paper based substrate having top surface and bottom surface, and graphene oxide and carbon nanotube composite deposited on top surface.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Producing patterned graphene comprises irradiating focal point on metal substrate surface with laser beam in the presence of carbon dioxide and moving the beam relative to surface so that focal point is displaced along the pattern.

ZHAO C, DONG J, DONG X, QIAN X

Substrate for graphene growth, has glass-ceramic body, and multiple metallic islands that is disposed on surface of glass-ceramic body.

BORRELLI N F, FEKETY C R, LIU X, SONG Z