国家/地区 美国（15） 世界知识产权组织（14） 中国（11） 欧洲专利局（EPO）（10） 日本（10） 韩国（10） 台湾（7） 印度（3） 加拿大（2）
IPC部 C（15）
IPC大类 C07（15）
IPC小类 C01B（12） C07C（12） B82Y（7）
C07D（7） H01L（7） H01B（4）
C09D（3） H01G（3） C07B（2）
C08G（2） C08J（2） C08K（2）
C08L（2） C23C（2） H01M（2）
IPC C01B031/04（11） C01B031/02（8） B82Y040/00（6）
C01B032/182（6） B82Y030/00（5） C01B032/184（4）
H01L051/00（4） C01B032/15（3） C01B032/194（3）
C01B032/20（3） C07C015/20（3） C07C025/22（3）
H01L021/02（3） H01L051/05（3） C01B032/18（2）
发明人 MUELLEN K（3） FENG X（2） MILLEN K（2）
MULLEN K（2）
公开年 2014（6） 2015（5） 2013（4）
申请年 2013（15）
专利权人 BASF CHINA C.（3） BASF SE（3） MAX PLANCK G.（3） EMPIRE TECHN.（2）

Energy device used in supercapacitor, consists of paper based substrate having top surface and bottom surface, and graphene oxide and carbon nanotube composite deposited on top surface.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Graphene composite for use in device i.e. sensor for sensing analytes e.g. aromatic molecule in sample, comprises photoswitchable layer, graphene layer disposed on photoswitchable layer and substrate.

ANDERSON K, SJONG A, SOONG A, ANDERSON K K

Use of amine precursor or its ammonium salt for depositing graphene film on substrate by chemical vapor deposition (CVD).

SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, ITO Y, SCHWAB M G S, MILLEN K

Manufacture of functionalized graphene used for e.g. barrier material, involves forming mixture using graphite oxide, solvent and functionalized compound containing sulfur and amino group, reacting, and recovering resultant graphene.

LEE J S, DO SEUNG H, JEON S Y, HAN G W, KONG J H, DO S H, LEE J, DO S, JEON S, HAN G, KONG J

Producing in electrochemical cell of one or more of graphene, graphite nanoplatelet structures, and graphane, involves passing current through cell to intercalate ions into graphitic negative electrode.

DRYFE R A W, KINLOCH I A, ABDELKADER A M, JEFF R A W, DRYFE R A V

Organic-semiconductor film used for channel in transistor structure, has pseudo graphene structure including two-dimensional network structure which is formed continuously.

KAGAYA M, MATSUMOTO T, KATO D, KATO T

Synthesizing graphene nanoribbon used in e.g. field effect transistor or bipolar junction transistor, comprises polycyclization of linearly conjugated aryl compounds to provide graphene nanoribbon precursor.

KLEIN J P

Edge-halogenation of graphene material used for electronic/optical/optoelectronic device involves reacting graphene material e.g. graphene, graphene nanoribbon, and/or graphene molecule with halogen-donor compound in presence of Lewis acid.

HINTERMANN T, MUELLEN K, FENG X, TAN Y, MULLEN K, TAN Y Z

New oligophenylene monomer useful in polymeric precursor for preparing graphene nanoribbons that used are in thin film semiconductor of electronic, optical, or optoelectronic device e.g. organic field effect transistor device.

MUELLEN K, FENG X, CAI J, RUFFIEUX P, FASEL R, NARITA A, TSAI J, MULLEN K, MILLEN K

Composite material for manufacturing capacitor device such as memory device, capacitor, transistor or diode, comprises polymeric material and hydrazine-reduced graphene oxide.

ALMADHOUN M N, ALSHAREEF H N, BHANSALI U S, XAVIER P, ODEH I N, ALMADHOUN M, MADHOUN M, SHARIF H A, BHANSALI Y S, EXAER P