国家/地区 韩国（48） 美国（43） 世界知识产权组织（28） 中国（22） 日本（17） 欧洲专利局（EPO）（10） 台湾（6） 加拿大（3） 法国（3） 新加坡（3） 澳大利亚（2）
IPC部 B（71）
IPC大类 B01（71）
IPC小类 B01J（71）
IPC C23C016/26（71）
发明人 HONG B H（6） CHOI I S（5） LEE K J（5）
CHOI J（3） CHOI J Y（3） HONG B（3）
KIM K H（3） MATSUMOTO T（3） SHIN H（3）
SHIN H J（3） YOON J（3） BACSA R（2）
BEDWORTH P V（2） BONG H（2） CHA S W（2）
公开年 2012（12） 2013（12） 2016（8） 2014（7） 2021（6） 2015（5） 2018（5） 2017（4） 2011（3） 2022（3） 2020（2） 2023（2）
申请年 2012（14）  2011（9）  2014（8）  2016（7）  2020（6）  2010（5）  2013（4）  2015（4）  2017（4）  2018（3）  2021（3）  2022（3） 
专利权人 HANWHA TECHW.（6） KOREA ADV IN.（6） SAMSUNG ELEC.（6） SAMSUNG TECH.（6）
UNIV SUNGKYU.（4） HANWHA AEROS.（3） KOREA ADVANC.（3） SRC CORP（3）
TOKYO ELECTR.（3） UNIV SUNGKYU.（3） CALIFORNIA I.（2） CENT ADVANCE.（2）
CENT NAT REC.（2） HONG B（2） HONG B H（2） INST NAT POL.（2）
LG ELECTRONI.（2） LOCKHEED MAR.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Depositing graphene or graphene oxide onto substrate from gaseous source of carbon precursor involves using plasma-enhanced chemical vapor deposition method, where carbon precursor consists of ethylene and the process is carried out in absence of carrier gas.

JOUIAD M, EL MARSSI M, LEJEUNE M

Preparing secondary enhanced graphene gas gel useful in shoes, comprises introducing substrate layer on prepared graphene gas gel surface, performing chemical vapor deposition reaction and growing sheet layer or spherical graphene aggregate on surface of substrate layer.

ZHENG L, SHEN Y, ZHENG Y, WU L, WANG H

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Manufacturing metal-carbon composite useful for high thermal conductivity heat dissipation material, comprises synthesizing carbon material on porous catalyst surface, complexing metal and controlling porosity of metal-carbon composite.

LEE S H, HAJUNSEOK, RHO H K, RYU H S

Manufacturing monocrystalline graphene for display, secondary battery, solar cell, light-emitting device, catalyst and sensor, involves supplying aromatic carbon gas onto single-crystalline metal catalyst to manufacture graphene.

KIM B J, CHOI J, CHOI J Y, JUN K

Preparing metal/graphene/single atom composite catalytic material involves reparing pure foam metal material, preparing graphene on the surface of pure foam metal material by chemical vapour deposition method, and vacuumizing.

CHENG H, ZHONG S, MO H, ZENG Y, WANG Z, WANG Y, LIU Y, HU M, WU H, CAO Y

Applying functional compound on sulfur particles for forming treated sulfur particles, involves using coating composition containing inorganic electroconductive compound, electroconductive carbon compound and organic precursor compound.

HAVERMANS D, SALLARD S, SHAFIQUE A, VANGENEUGDEN D, VANHULSEL A, HARDY A, SALAH S, SHAFIK A, VAN GENUGDEN D, HARDY N

Formation of graphene layer used as material in e.g. flexible technologies, involves forming polymer layer on catalytic substrate by chemical vapor deposition of graphene precursor, and raising temperature to induce cyclodehydrogenation.

SINITSKII A, TORRES A, LI G

Preparation of nitrogen-functionalized porous graphene for electrochemical devices, involves synthesizing porous graphene by chemical vapor deposition using ethylene, and preparing nitrogen-doped porous graphene by hydrothermal method.

IONEBRASU D, ANDREI R D, JIANU C, ENACHE S, ENACHE A, CARCADEA E, VARLAM M, JIANU C C

Single metal atom used as catalyst, is supported on three-dimensional porous graphene which is prepared by using nanoporous metal material as template.

XI W