国家/地区 美国（59）
IPC部 C（59） B（39） H（38）
G（6） A（3）
IPC大类 C23（59）
IPC小类 C23C（59） C01B（45） H01L（30）
B82Y（26） B32B（14） B01J（10）
B05D（10） C30B（9） H01B（7）
C01G（6） C23F（6） H01M（6）
B82B（4） B23K（3） C04B（3）
IPC C23C016/56（59）
发明人 CHOI J（5） SHIN H（5） SHIN H J（4）
BYUN K（3） BYUN K E（3） LEE C S（3）
LEE S（3） THOMAS S（3） ZHANG K（3）
BEDWORTH P V（2） CHO Y（2） CHO Y C（2）
CHOI J Y（2） DENG P（2） GLASS H（2）
公开年 2021（11） 2017（9） 2012（7） 2013（6） 2016（4） 2018（3） 2022（3） 2023（3） 2009（2） 2010（2） 2011（2） 2014（2） 2019（2） 2020（2）
申请年 2020（9）  2016（8）  2011（6）  2013（5）  2017（5）  2022（5）  2012（4）  2021（4）  2014（3）  2008（2）  2009（2）  2010（2）  2015（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（8） ZHANG K（3） APPLIED MATE.（2） CENT NAT REC.（2）
CHOI J（2） COMMISSARIAT.（2） DENG P（2） EMPIRE TECHN.（2）
GUARDIAN GLA.（2） GUARDIAN IND.（2） GUO H（2） LEI T（2）
LOCKHEED MAR.（2） PARAGRAF LTD（2） TOKYO ELECTR.（2） UNIV CALIFOR.（2）
UNIV SINGAPO.（2） UNIV SUNGKYU.（2） UNIV XIDIAN（2） US SEC OF NA.（2）

Anode active material comprises carbon material, and silicon structure attached to carbon material, where silicon structure includes silicon nanoparticle, metal thin film formed on surface of silicon nanoparticle, and graphene coated on surface of metal thin film.

KIM Y H, SON M W, KIM Y, SUN M

Manufacturing electrostatic self-assembled silicon/reduced graphene oxide (rGO)/carbon nanofibers composite as anode materials for lithium-ion battery, involves obtaining silicon (Si)-(3-aminopropyl)triethoxysilane (APTES) solution by adding predetermined silicon nanoparticles to piranha solution.

CONG R, LEE C S, LEECHANGSUP, FEMALE T

Formation of graphene layer for semiconductor device, involves exposing substrate comprising conductive and dielectric materials to plasma to clean conductive material, and exposing substrate to another plasma to form graphene layer.

MEBARKI B, CHUA T C, VALENCIA C W, LEE J J, TANG X, CHEN X

Digital formation of two-dimensional materials structures used for electronic components, involves generating donor substrates containing back surface and front surface, applying coating to front surface, and irradiating coating containing donor material.

ZERGIOTI I, PAPAZOGLOU S, ZACHARATOS F, LOGOTHETI A, PESQUERA A, ZURUTUZA A, NAVEH D

Preparing nanoparticles on a substrate for composite, involves depositing micro-sized particles or salt precursors on a substrate, and applying a rapid, high temperature thermal shock to the substrate and the micro-sized particles or the salt precursors.

YAO Y, CHEN Y, HU L

Proton conductive membrane comprises proton selective layer which contains sp2 carbon, sp3 carbon, hydrogen, oxygen, and nitrogen and has pores, and ionomeric polymer layer, where proton conductive membrane is electrically non-conductive.

SHINDE D, CHATURVEDI P, VLASSIOUK I, SMIRNOV S

Method for production of atomic bilayer nanotape, involves oxidizing portion of monolayer to provide oxidized portion, and removing oxidized portion to provide atomic layer nanotape comprising transition metal dichalcogenide material.

HARUTYUNYAN A R, LI X

Manufacture of dense layer of electrochemical device, involves providing substrate and suspension of non-agglomerated nanoparticles of material having specific particle size distribution, depositing layer on substrate, drying and densifying.

GABEN F

Forming layer, comprises e.g. exposing substrate to aromatic precursor in processing chamber, rinsing aromatic precursor from processing chamber, and heating substrate deposit graphene hard mask layer on substrate.

BHUYAN B J, LEONCINI A

Encapsulating graphene in semiconductor substrate, comprises selectively depositing graphene on metal layer, depositing metal oxide over graphene by thermal-based deposition technique, and depositing hermetic barrier over metal oxide.

VARADARAJAN B N, NARKEVICIUTE I, SHARMA K