国家/地区 美国（29） 韩国（28） 中国（22） 日本（18） 世界知识产权组织（14） 欧洲专利局（EPO）（7） 台湾（5） 印度（3） 巴西（2） 德国（2） 墨西哥（2） 俄罗斯（2）
IPC部 C（54） H（28） B（22）
IPC大类 C23（54）
IPC小类 C23C（54）
IPC C23C016/26（35） C01B031/02（29） C01B031/04（17）
B82Y030/00（13） B82Y040/00（11） C23C016/44（10）
B32B009/00（9） B82B003/00（4） C23C016/00（4）
C23C016/56（4） H01L021/02（4） H01L021/20（4）
H01L021/205（4） H01L029/16（4） B01J019/08（3）
发明人 HONG B H（5） CHOI J（4） BAE S K（3）
CHO S M（3） CHOI J Y（3） HUANG L（3）
KIM H K（3） LIU J（3） LIU Y（3）
RAO Z（3） WON D K（3） XIA Y（3）
AHN J（2） BAE S（2） CHEN J（2）
公开年 2011（36） 2012（12） 2010（5）
申请年 2010（54）
专利权人 UNIV SUNGKYU.（7） SAMSUNG ELEC.（6） SAMSUNG TECH.（4） UNIV SUNGKYU.（4）
GRAPHENE SQU.（3） INST MICROEL.（3） JIAXING MICR.（3） KOREA ADV IN.（3）
BAE S K（2） CHINESE ACAD.（2） FUJI ELECTRI.（2） HONG B H（2）
JAPAN SCI TE.（2） KIM H K（2） UNIV SUNGKYU.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Production of graphene used in manufacture of semiconductor devices, involves providing substrate, focusing laser beam in presence of carbon doping gas and continuing focusing laser beam to photolytically react carbon with substrate.

KAR A, QUICK N R

Formation of graphene-based device used in electronic field, involves depositing carbon on substrate having dielectric material, annealing carbon-deposited substrate, and forming ordered graphene on dielectric material.

KELBER J A, GADDAM S S, BJELKEVIG C L

Manufacture of graphene involves forming graphene into film on magnesium oxide.

FUJII K, SATO M

Nanosheet used in applications e.g. superconductors, capacitors comprises silicon carbide layer having first and second surfaces; a first graphene layer formed of specific graphenes; and a second graphene layer formed of specific graphenes.

CHEN K, HU M, KUO C, CHEN L, CHEN K H, HU M S, KUO C C, CHEN L C

Graphene manufacturing device has roller pair, and metal catalytic layer formed between roller pair, where device adopts roll-to-roll mode to ensure continuous production of graphene.

JEON S, YOO H, JIN J

Manufacturing method of graphene, involves growing graphene on surfaces of floating sample in air.

JOO I L, CHAN Y H, KWONJAE Y, JUNG H K, YONG S Y, YONG H S, GEUN W L

Method for improving graphene property involves irradiating laser beam on graphene grown on substrate, and heat treating.

LEE K J, CHOI I S, CHOI S Y, HONG B H

Forming recrystallized metal layer for growing graphene monolayer involves forming metal layer on substrate; forming layer of dielectric material on the metal layer; and directionally recrystallizing the metal layer.

YAGER T A

Creating regions within a chamber partially confined by surfaces of a solid substrate and containing a carbon-containing gas e.g. methane for producing graphene, comprises causing dissociation of carbon atoms from the gas molecules.

LIN J T

Graphene synthesis chamber has multiple through holes that are formed for connecting seating place and portal.

CHO S M, WON D K