国家/地区 中国（166）
IPC部 C（166）
IPC大类 C23（166）
IPC小类 C23C（166） C01B（56） H01L（26）
B82Y（21） C30B（20） B01J（10）
B32B（10） C04B（7） C22F（7）
C25D（7） C25F（7） H01B（7）
G01N（6） B22F（5） C21D（5）
IPC C23C016/02（166）
发明人 ZHANG Y（11） LI J（9） LIU Z（8）
WANG X（8） ZHANG L（8） ZHANG X（8）
WANG Y（7） ZHANG J（7） ZHANG Z（7）
CHEN Y（6） WANG Q（6） CHEN Z（5）
JIANG M（5） LI C（5） LI Y（5）
公开年 2021（28） 2022（28） 2020（21） 2017（17） 2015（13） 2018（12） 2016（9） 2012（8） 2013（7） 2023（7） 2014（6） 2019（6） 2011（3）
申请年 2020（26）  2021（23）  2022（22）  2019（16）  2016（15）  2017（15）  2013（11）  2014（10）  2015（8）  2011（7）  2012（5）  2018（5） 
专利权人 SHANGHAI INS.（8） SAMSUNG ELEC.（6） UNIV PEKING（5） UNIV XIDIAN（5）
CHINA DONGFA.（4） CHINESE ACAD.（3） SHANDONG YUN.（3） UNIV BEIJING.（3）
UNIV CHINA E.（3） UNIV HUAZHON.（3） UNIV NANCHAN.（3） UNIV XIAN JI.（3）
BEIJING GRAP.（2） BEIJING GRAP.（2） CHANGZHOU 2D.（2） CHINESE ACAD.（2）
DENG P（2） GUO H（2） HARBIN INST .（2） HUNAN ERLING.（2）

Preparing secondary enhanced graphene gas gel useful in shoes, comprises introducing substrate layer on prepared graphene gas gel surface, performing chemical vapor deposition reaction and growing sheet layer or spherical graphene aggregate on surface of substrate layer.

ZHENG L, SHEN Y, ZHENG Y, WU L, WANG H

Method for preparing conductive graphene film, involves forming concave-convex surface on copper foil by stamping, and using metal substrate chemical vapor deposition method to prepare copper-based graphene conductive film.

CHEN Q

Preparation method of in-situ packaged two-dimensional material in e.g. electronics field, involves forming first material layer by cleavage of first material on substrate, and forming second material layer between first layer and substrate.

GAO H, YANG H, BIAN C

Preparing gallium nitride nanowire/graphene composite material useful in sterilizing device, comprises providing substrate, forming layer of gold film on positive and negative surfaces of substrate, growing gallium nitride nanowire on substrate covered with gold film, and depositing graphene film.

LI J, FU Y, DAI Y, LIN C, WANG Z, LIN L, YANG Y, HU Y, XU Z, FU Z

Improving quality of metal catalytic thin layer prepared by sputtering comprises cleaning Si/SiO2 substrate, photoetching the pattern, sputtering a layer of metal thin layer with the graphene of catalyzing and growing on the substrate sheet by using the sputtering table, peeling and etching.

ZHAO Y, YU X, LIU Z, NIE X, SONG Z, DENG J, HE X

Normally-closed gallium nitride integrated device of large threshold voltage used in mobile phone, has sub-gate composed of gate layer connected through graphene film electrode to form series-parallel mixed double high frequency characteristics high electron mobility transistor integrated structure.

LUO M, CHENG T, WANG X, ZU Y, YU C

Depositing high-quality aluminum oxide thin films on surface of graphene comprises cleaning graphene substrate and adding into atomic layer deposition chamber, passing water molecules into atomic layer deposition chamber for pretreatment, obtaining required film and cooling.

LI N, LU W, LIU T, ZHANG Y, FAN T, XIA Y, WU S, TANG C, QU F

Lubricating sliding sheet useful for compressor, has nano sebum micro-capsule distributed on sliding sheet main body, nitriding layer, nickel-phosphorus layer, and nano-level solid sebum, where main body is D-cast iron.

LI Y, JIA B, SHI Z, ZHENG H

Method for preparing metal-graphene composite material by using electronic component, involves preparing metal-graphene composite material by hot-pressing sintering, and applying pulse current to metal substrate to perform surface heat treatment to metal substrate.

WANG X, HUO Y, LI J, CAO Z, XIAO Z

Preparing diamond/graphene/carbon nano-tube full-carbon base composite material, comprises e.g. plating diamond surface with catalytic layer, and using direct current injection plasma arc furnace to quickly heat diamond plated with layer.

CHEN L, LIU J, WEI J, YANG Z, LIU Y, YUAN X, ZHENG Y, REN F, LI C