国家/地区 美国（167）
IPC部 C（167）
IPC大类 H01（167）
IPC小类 H01M（72） C01B（69） H01L（64）
C23C（41） H01B（25） C08K（24）
B01J（18） B82Y（18） C09D（18）
C08L（16） H01J（13） C09K（12）
C01G（11） H01G（11） C08G（9）
IPC H01M004/36（36） H01M004/62（34） H01M010/0525（31）
H01M004/04（27） H01L021/02（22） H01M004/02（22）
H01M004/38（22） C01B032/194（21） H01M004/587（19）
H01M004/583（18） C23C016/26（17） H01M010/052（17）
B82Y030/00（16） H01M004/133（16） H01M004/48（15）
发明人 SHIN H（9） SHIN H J（6） STOWELL M W（5）
BYUN K（4） BYUN K E（4） GUINEY I（4）
LEE C（4） LEE C S（4） SHIN K（4）
SHIN K W（4） THOMAS S（4） TYLER M（4）
ANZELMO B H（3） CHEN C（3） CHO Y（3）
公开年 2021（147） 2020（15） 2022（5）
申请年 2020（167）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（13） LYTEN INC（5） PARAGRAF LTD（4） SEMICONDUCTO.（4）
UNIV CALIFOR.（4） NINGDE AMPER.（3） TOKYO ELECTR.（3） UNIV SUNGKYU.（3）
3M INNOVATIV.（2） APOLLO TYRES.（2） BOSTON SCI I.（2） BOSTON SCI S.（2）
CALIFORNIA I.（2） CRAYONANO AS（2） DAEJOO ELECT.（2） IND TECHNOLO.（2）
KOREA INST S.（2） NANOGRAF COR.（2） NAT INST ADV.（2） SAMSUNG DISP.（2）

Condensation curable composition for use in cured silicone-imide material for article in aerospace device, electronic device, electronic component, automobile, insulation, coating, or solvent resistant membrane, comprises silicone-imide base polymer, crosslinker, and condensation cure catalyst.

KONWAR D B, FUJIMOTO T, MANDAL S

Method for fabricating topological semi-metal interconnect, involves forming dielectric layer between interconnects, and forming hermetic cap layer on top of one or more interconnect.

NOGAMI T, NARAYANAN V, LANZILLO N A, CHEN C, RANJILO N A

Proton conductive membrane comprises proton selective layer which contains sp2 carbon, sp3 carbon, hydrogen, oxygen, and nitrogen and has pores, and ionomeric polymer layer, where proton conductive membrane is electrically non-conductive.

SHINDE D, CHATURVEDI P, VLASSIOUK I, SMIRNOV S

Semiconductor device for use in personal computer, comprises redistribution layer positioned on passivation layer, adjustment layer positioned between pad layer and another adjustment layer, where adjustment layers are formed of graphene.

HUANG T, HUANG Z

Electrically conductive one-component epoxy adhesive composition for e.g. solar cell comprises epoxy resin, at least one ionic constituent as catalyst for epoxy homo-polymerization, electrically conductive particles, and inorganic particles.

POELLER S, WUCHERPFENNIG S, ESTRUGA ORTIGA M, HENCKENS A, ESTRUGA O M, STEINKOGLER S, ESTRUGAORTIGAMARQUE, POHL S

Growing two-dimensional transition metal chalcogenide film for manufacturing e.g. diode, involves placing patterned metal layer on substrate surface, supplying chalcogen precursor and transition metal precursor to chamber, and evacuating.

LEE E, AHN W, KIM H, LEE H, LEE H S, KIM H S, AHN W S, HA L

Silicon-containing slurry useful for manufacturing silicon-containing electrode, comprises poly(carboxylic acid) binder and particulate anode active material in mixed solvent system comprising solvents comprising N,N-dimethyl-acetamide compound, water and/or organic solvent.

TRASK S, JANSEN A, SHI Z, ZHANG L

Active element of electrochemical apparatus for producing electrical power and/or hydrogen, has coating of boron enhanced material which includes elements selected from carbon, graphite, graphene, nickel, tungsten, phosphorus, and copper.

MAGUIRE D, FERTMAN M

Composite material for shielding or absorbing electromagnetic wave in e.g. smart phone, has electromagnetic absorbing material comprising silicon carbide, and conductive material comprising two-dimensional carbon material containing graphite sheet and graphene sheet.

CHU Y S, KE Y, HSIEH C, HSIEH I, HO H, LIU W, ZHU J, XIE Z, XIE Y, HE X, LLKE Y, LLCHU Y S

Microbial photoelectrochemical system used for kit for generating fuels, consists of biophotoanode comprising electrogenic bacteria strain and photocathode comprising indium gallium nitride, gallium nitride, indium phosphide, gallium phosphide, silicon, copper oxide, or copper bismuth oxide.

LI Y