国家/地区 欧洲专利局（EPO）（55）
IPC部 C（55）
IPC大类 C01（55） H01（26） B82（12）
C08（10） C23（10） B01（8）
C09（7） C25（5） B32（4）
C03（3） C30（3） B29（2）
C02（2） C05（2） D01（2）
IPC小类 C01B（55）
IPC C01B032/182（24） C01B032/184（17） C01B032/194（16）
C01B032/198（14） B82Y030/00（10） B82Y040/00（10）
C01B032/186（9） C01B032/19（9） C01B031/04（8）
C23C016/26（6） H01G011/36（6） H01L029/16（6）
H01M004/62（6） C01B032/15（5） C08K003/04（5）
发明人 KWON W（3） KWON W J（3） ARNUSCH C J（2）
FOURNEL F（2） FUGIER P（2） GOLANSKI L（2）
KAWASAKI M（2） LEE Y（2） LI Y（2）
LOSIC D（2） NINE M J（2） QI K（2）
QI K Z（2） RODRIGUEZ G（2） SINGH S P（2）
公开年 2018（30） 2017（24）
申请年 2017（55）
专利权人 LG CHEM LTD（4） COMMISSARIAT.（3） BG NEGEV TEC.（2） GREEN NANOTE.（2）
KWANSEI GAKU.（2） LG CHEM CO L.（2） QI K Z（2） SAMSUNG ELEC.（2）
TORAY IND IN.（2） UNIV ADELAID.（2） UNIV KING AB.（2） UNIV RICE WI.（2）
UNIV RICE WI.（2） ZENG T（2）

Formation of graphene layer on metal layer used in sensing applications, involves heating process chamber, introducing carbon including deposition gas into chamber and transporting precursors into metal layer.

GILLES OLLIVIER BORME J, LUIS MACHADO J, PEDRO DOS SANTOS HALL DE AGORR, BARBOSA QUEIROS R, JORGE PEIXEIRO DE FREITAS P

Semiconductor device comprises substrate comprising insulator and semiconductor comprising group IV material and/or group III-V compound, and graphene layer grown on surface of semiconductor.

SHIN K, SHIN H, CHO Y, NAM S, PARK S, LEE Y, SHIN K W, SHIN H J, CHO Y C, NAM S G, PARK S J, LEE Y S

Manufacturing multilayer graphene e.g. suspended or deposited multilayer graphene used for device e.g. sensor involves depositing graphene monolayer having protective layer on top on sample containing another graphene monolayer.

ZURUTUZA ELORZA A, CENTENO PEREZ A, PESQUERA RODRIGUES A, ZURUTUZA E A, CENTENO P A, PESQUERA R A

Composite for hydrogen-releasing device and energy-producing device for use in an aircraft comprises porous graphene oxide material and ammonia borane.

GODULAJOPEK A, GREGORY H D, CHAMPET S, WESTENBERGER A, WARMUZINSKI K, GREGORY D H, CHAMPE S, VARMUZINSKI K

Substrate used to produce graphene film, comprises stack of self-supporting base, electrically insulating layer and catalyst layer with self-supporting base having basic monocrystalline area, in succession and superimposed on each other.

GOLANSKI L, FOURNEL F, FUGIER P, RODRIGUEZ G

Producing graphene film used in e.g. biological sensors involves forming graphene film by epitaxial deposition in contact with platinum-containing monocrystalline zone of substrate catalyst layer using chemical vapor deposition device.

GOLANSKI L, FOURNEL F, FUGIER P, RODRIGUEZ G

Manufacture of functionalized graphene involves mixing graphene, and double-bond bearing salt, and heat treating mixture.

LEE M J, KWON W J, JUN G H, IYIO J Y, LEE Y R, BYEON J Y, LEE M, KWON W, JUN G, BYEON J, LEE Y, JI Y

Release of graphene layer from template substrate, for e.g. circuits, involves soaking graphene layer and template substrate in water such that water is intercalated between substrate and layer, and subjecting to delamination process.

BREMS S, HUYGHEBAERT C, VERGUTS K, DE GENDT S

Process for preparing graphene layer with better electrical conductivity, involves doping zone of graphene layer to form doped graphene zone including stabilized sheet resistance, where doping is carried out by surface of graphene layer.

LE POCHE H, CARELLA A, DIJON J, OKUNO H, RAUX E

Manufacturing graphene film used for manufacturing pellicle involves coating graphene with protective film, removing base material by wet etching with etching liquid and dissolving protective film using solvent having lower surface tension.

YANASE Y, YANASE M, LIANG L