国家/地区 韩国（34） 美国（9） 中国（5） 世界知识产权组织（4） 日本（3） 欧洲专利局（EPO）（2）
IPC部 C（34）
IPC大类 C01（34） B01（11） H01（11）
C23（6） B82（5） C07（3）
B32（2） C08（2） C09（2）
C25（2） G01（2）
IPC小类 C01B（34）
IPC C01B031/04（16） C01B031/02（10） C23C016/26（4）
H01L029/16（4） B01J019/10（3） B01J021/06（3）
B01J021/18（3） B01J035/00（3） B01J037/03（3）
B82Y030/00（3） C01B032/182（3） C01B032/186（3）
B01J023/42（2） B01J023/44（2） B01J023/50（2）
发明人 CHO K（3） CHOI W（3） KIM H（3）
SEUNG H J（3） CHO K W（2） CHOI H C（2）
HUN JI S（2） JIN W C（2） LEE H C（2）
LEE J S（2） LEE S（2） LEE T W（2）
MYEONG CHOI S（2） PARK C E（2） SEON M C（2）
公开年 2015（7） 2016（5） 2017（5） 2012（3） 2014（3） 2010（2） 2018（2） 2020（2） 2023（2）
申请年 2014（7）  2016（6）  2013（5）  2012（3）  2021（3）  2009（2）  2011（2）  2018（2） 
专利权人 POSTECH ACADIND FOUND（34）

Manufacturing semiconductor useful in filed of power conversion devices, electric and electronic systems, comprises e.g. implanting dopant into semiconductor, capping material into two-dimensional honeycomb, and heat treating.

KIMSEONGJUN, KANG M J, SHIN H K, LEE N S, JAE P Y, SUNG M J

Producing nanosheet dispersion comprises reducing interlayer bonding strength by adding two-dimensional material having layered structure into solution containing aionic material and forming covalent bond by entering between layers.

NOHYONGYOUNG, KIM H J, KIM H, NOH Y Y, LU R

Photocatalyst for use as denitrification catalyst for removing nitrate ion, and processing water, comprises titanium dioxide particle comprising titanium dioxide, carbon material located on all or portion of surface of titanium dioxide particle and comprising graphene, reduced graphene oxide.

LEE S, CHOI W, CHOIWEONYONG, BI L S

Producing graphene comprises providing cellulose substrate containing sodium ions, and forming graphene by irradiating laser into cellulose substrate.

MIN J, LEE S

Method for manufacturing multilayer graphene, involves subjecting graphene precursor to chemical vapor deposition on metal substrate containing nonmetal element, manufacturing graphene that is doped with element on metal substrate.

CHO K, YOO M S, LEE H C, CHO K W, ZHAO J, YU M, LI X

Synthesis of graphene for optoelectronic devices, involves placing copper-nickel thin film laminate in chemical vapor deposition, bringing graphene precursor into contact with thin film laminate, and performing chemical vapor deposition.

CHO K, YOO M S, LEE H C, CHO K W

Bandgap retaining graphene material used in semiconductor device and electronic device, comprises graphene and lithium ions adsorbed on graphene.

WOOK C J, TAE R M

Producing bismuth graphene oxide useful for adsorbing iodine, comprises oxidizing graphite, and reacting graphene oxide with bismuth nitrate.

HANSANGSOO, UM W, SEOK K W

Band gap-retained graphene useful for graphene-based semiconductor and electronic devices, comprises graphene, and an ion provided on the graphene.

CHUNG J W, KIM J G

Surface processing method for graphene substrate of e.g. organic LED used in electronic device, involves forming organic material on one portion of graphene and surface-processing and forming dielectric thin film on organic material.

JAE Y B, SE J K, HYUN J S